φ75mmBi-%2c2-Ti-%2c2-O-%2c7-介电薄膜的制备及其物理性能的研究.pdfVIP

‘D 75mm Bi：Ti20，介电薄膜的制备及物理性能研究 王弘。，姚伟峰1，候云一，王栋，张寅-，许效红1，．尚淑霞-，余金中： (1．山东大学晶体材料国家重点实验室，山衷济南250]00； 2．中国科学院集成光电子国家重点实验室。北京100084) 擅薹一Bj：鸭o，介电薄膜再宥较高时介电常数，可 量的钍酸四丁醇、乙豌丙酮、乙二醇甲醚，调节溶 用于制备新型蛇雌栅埒效应器件．我们采用化学溶 藏的浓度至0．2．-．0．5mogl。过滤掉溶棱中的杂质，用 液沉积法．j备了由75tara B．21fq介电薄胰．介电常匀胶机在#75mm硅衬底上旋转键膜．湿膜在350℃ 教大干[23，厚度不均奇性少于，％，外加10V屯压 保持20m／a后。再加热至450～550℃进行高温逼火． x 时．各J最满电流小于51旷A，咖：．表明Bif如q舟 可得到结晶性良好的Bi21320，薄膜．为了得到一定 电薄膜地球性高，介电常数和厚度均匀．适合于制 厚度的薄膜一可通过多次成膜工艺．重复进行上述 备新型绝缘褫场效应嚣件． 。 制壤过程．经过多攻成膜工艺和退火得到要求厚度 关键词t化学溶液沉积l介电薄膜l周巾：oy 的薄膜． 2．2薄腹结构和性幢澍拭 1引言 采用日本日立公司的x射线衍射仪测量薄膜的 结晶性和取向性．采用DETAK--3型台阶仪测量薄 膜的厚度一采用HP4140B 高介电常数的绝缘介质材料在绝缘橱场效应器 PA计测量薄膜的I-V特 件和大规模集成电路中有重要应用，已成为当前国际 性和绝￡t性-采用HP4192A阻抗分析议测量薄膜的 上研究的一个热点课题11)．传坑MOS电路中采用的C·V特性和介电性能· Siqt其介电常数约为4．随着集成电路设计线宽的 减小。siq绝缘栅的厚度已降至10am以下，接近 3结果与讨论 其极限．因此迫切需要具有高舟电常数的新型绝缘 橱材料．国际上已报道的高介电常数介质薄麒材料 3．1薄t的结■性和取向性 包括1k吼、ri02、SrTi吼等¨∞1．氇0，的介电常数经过350℃．20rain烘干的B印_岛薄嗅在空气中 为27。但薄膊漏电流较大；金虹石相的1j吼薄腱成进行了遇火处理，遏火沮度为4酣c、，时c、姗忙。遇火 时间为20min，结果表明：450℃退火得到的是非晶 相温度较高，在TiOz／Si界面上容易生成低舟电常敦 膜，5∞℃退火后可得到结晶性较好的薄膜．550℃ si吼层．使有效介电常数降低；SrTi03薄膜的介电 常数比其它材料降低很多．且与制鲁工艺有密切关 遇火得到的取向性最好-其XRD衍射周如图l所示· 匿中(222)、(444)--个衍射蜂最强，且尖锐，其他衍 系·我们首先报道了采用MOCVD和CSD技术制备 射峰几乎消失．说明薄膜的结晶性很好，(1iIJ取向 了Bi：rico,薄膜的研究M。BiJ聃薄膜具有较高 的介电常数，且其结晶温度较低，绝缘特性良好· 度太于9∞‘． 为了适应器件制备的要求．需要在大面积硅片上制 备高介电薄膜。并研究其厚度、介电常数的均匀性． 本文报道口75mm Bi2niq介电薄嘎的制备，介电性