静电场对强激光场非序列双电子电离的影响.pdfVIP

第57卷第1期2008年1月 物 理 学 报 1000．3290，2008，57(01)，0124．08 ACTAPHYSICASINICA ⑥2008 Chin．Phys．Soe． 静电场对强激光场非序列双电子电离的影响* 李洪云1’ 王兵兵2’’ 蒋红兵1’ 陈 京3’ 李晓峰1’ 刘 杰3’ 龚旗煌1’ 傅盘铭2’ 1)(北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室．北京100871) 2)(中国科学院物理研究所光物理实验室，北京100080) 3)(应用物理与计算数学研究所非线性研究中心．北京100088) (2007年3月19日收到；2007年4月24日收到修改稿) 利用半经典重碰模型计算并研究了He原子在强激光场与静电场的混合场下的非序列双电子电离过程．由于 静电场破坏了激光场电场的反演对称性，在平行于激光场偏振方向的He2+离子动量分布不再具有对称双峰结构． 由于超短脉冲具有相似的非对称性，研究静电场对原子在强场中非序列电离的影响，有助于分析超短脉冲非序列 电离的过程，进一步了解非序列双电子电离的机理． 关键词：非序列双电离，静电场，重碰，非对称性场 PACC：3280，4250V 型¨1’12，对许多实验结果均给出了很好的模拟和 1．引 言 解释． 原子在一个线偏振的长脉冲强激光场中的非序 研究原子在强激光场中的电离对于探知原子内 列电离研究已经取得了很大的进展，沿偏振正反两 部电子的运动情况具有重要的意义．电离的具体情 个方向电场的变化是对称的，二价离子平行于激光 况与原子的种类以及激光场的强度有密切联系．以 场偏振方向的动量分布具有一个对称的双峰结 He原子为例，当激光场强低于1014W／cm2时发生单构¨副．在此基础上我们增加了一个弱的静电场，用 电子电离，激光场强达到1015W／era2时发生第二个以研究在非空间对称场中He原子的非序列双电子 电子的电离，它们均为序列电离¨’21，对应的电离概 电离过程．首先静电场调节了激光电场的瞬时场 率可以采用单电子近似理论进行预测，预测结果与 强¨4-160，相应地，第一个电子瞬时隧道电离概率随 实验值符合得很好．然而，激光场强处于10“ 场强指数性变化，运动方向与静电场方向相同的 W／era2一1015W／era2之间时，He原子第二个电子电He2+离子的概率增加，运动方向与静电场方向相反 离概率的实验值比单电子近似理论预测值高出几个 的He2+离子的概率下降．另一方面由于静电场破 坏了激光电场的对称性，电子在外场中的加速过程 数量级bJ，Ne【4】，Ar【副等其他稀有气体原子也存在 类似的实验结果．这种实验现象是序列电离理论无 也会呈现空间的不对称性．利用这种方法，量子隧 法解释的，所以人们称这种电离情况为非序列电离． 穿过程和经典加速过程被分开。他们对双电子电离 目前已存在多种非序列电离模型‘卜8‘，其中 的贡献呈现竞争的机理，最后的离子动量分布取决 Corkum提出的“重碰”模型¨o是最重要的模型之一．于它们贡献大的一方． 重碰模型以其清晰的物理图像描述了原子内部电子 的相互作用过程，认为原子最外层的一个电子在强 2．半经典非序列双电子电离理论 激光场作用下首先电离成为自由电子，然后做加速 运动，某些时刻会返回到母体离子附近并与母体离 半经典的计算方法…1是将第一个电子的电离 子发生碰撞，实现双电子电离．“u等人发展的半经 概率利用ADK隧穿理论…1计算出来，作为该电子