倾斜生长Tl2Ba2CaCu2O8超导薄膜的Ⅰ-Ⅴ曲线及快速反应特性.pdfVIP

低温与超导 塑堑鲞蔓!塑 !生!! 型：翌!!：! 倾斜生长，n2Ba2CaCu208超导薄膜的I—V曲线 及快速反应特性 周铁戈，胡雅婷，左涛，顾静，谢清连，方兰，赵新杰，阎少林 (南开大学电子科学系，天津300071) 特性进行测量，其临界电流密度小于正常生长的11—2212超导薄膜。对薄膜通过脉冲方波进行快速反应特性的测量，结果表 明：倾斜生长的11—2212超导薄膜在一十电压脉冲的作用下，产生宽度仅为p量级的太电流脉冲，然后变为正常态。这和正 常生长的超导薄膜不同，前者没有经过发热和升温的过程。利用这一特性可以制作高速高温超导开关和快速反应限流器等。 美键词：约瑟夫森效应；112Ba2cnc啦oI超导薄膜；高温超导开关；限流器 and of I—V删mquicl【一瑚ctionpmperly misali印ed112B屯CaCn20B曲略 珏眦_n。辞，}IuY蚯唱，zu01k．cnJiT嘻，】(ie Qin曲阳，F砘k。珏曲】(injie．Y蛐sh柚n (Dep^血啪t afⅡ髓tr蛳i∞，N锄hiUn№畸，T．娜j．Ⅲ30∞71，clIiI诅) 3岫丽de cb盯酗扯蛐curoftbe矗l血w罄∞咖Ided cd6cala唧I 丫ic柚Mo’叭hh砒曲．I—V by吐岫daIdfbⅡ一PoiⅡtt∞IlIliqI”．The de抛i坤 0fthe聃一g咖6】m诅l删m柚noImllll—2212铀．^pulvoh8铲帕s 8讪edto山emm协inv曲659kthe ·i嘶蚰jn衄m|l矗l衄；thc白珊盯do镩n嘴。砰erier髓·w唧缸IlgupprDo∞·．T址iIlgadnt8鲈of HTS·“tcb∞茁 dlh—叩erty，皿pid clⅡrem Klni“j馆c蚰be皿anubcm商． limiter Ke肿r由：J∞ePh啪e丘如，1l一笠12雌rc姐duc6ng吐曲丘lⅢ．}rrS$Wi讪，cun绷t l引言 mA量级。据我们所知，目前还没有数毫米量级宽度 的斜切薄膜的实验结果报道。我们在10nm长、3Ⅻ 高温超导体具有层状结构。在层状结构中，cuO： 面是导电层，cuO：面之间的绝缘层充当贮电层(也称超导薄膜，并对薄膜的I—V特性和薄膜在脉冲方波下 载流子库层)，cuO：面之间通过约瑟夫森效应耦合。 的快速反应特性进行了测量，结果表明虽然宽度增加， 利用这种本征约瑟夫森效应可以制作本征约瑟夫森结 薄膜仍然显示出约瑟夫森耦合效应。本文将报道我们 的实验方法和结果。 阵列，具有重要的研究和应用价值。1997年，s．L．Ym 等““1报道了在斜切200的【丑A10，衬底上生长出C一 轴倾斜生长的11—2212薄膜，并利用这种薄膜制作出2实验方法 本征约瑟夫森结阵列。实验结果说明，11—2212薄膜 的cuO：面之间确实是通过约瑟夫森效应耦合的。 采用两步法”。·制备高温超导薄膜，首先用直流 当流过约瑟夫森结的电流超过它的临界电流时，