利用脉冲激光沉积法制备高Mg掺杂的六方相MgZnO薄膜.pdfVIP

第3l卷第2期 发 光 学 报 VoL31 No．2 OF 2010年4月 CHINESEJOURNALLUMINESCENCEApr．，2010 文章编号：1000-7032(2010)02-0223-04 朱德亮，陈吉星，曹培江，贾 芳，柳文军，马晓翠，吕有明+ (深圳大学材料学院深圳市特种功能材料重点实验室，广东深圳518060) 摘要：选用Mgo：砜．。O陶瓷靶，利用脉冲激光沉积(PLD)法，在单晶Si(100)和石英衬底上生长了一系列 光谱(uV-Vis)等实验手段，研究了在不同工作压强下生长的薄膜样品的晶体结构、微观形貌和光学性能的变 化。结果表明：所有的薄膜样品都是单一的ZnO六方相，禁带宽度随生长压强的升高面增加，变化范围在 3．83～4．05 nm。 eV之间，最短吸收边接近300 关键词：脉冲激光沉积；MsznO薄膜；光学性能 中图分类号：0472．3 PACS：78．40．FyPACC：7840G文献标识码：A 温度下制备了系列的MZO薄膜，得到的是单一六 1 引 言 方相的薄膜，带宽随衬底温度升高而增大。但最 ZnO是一种直接带隙的半导体材料，具有许 大的带宽(750oC时)也只有3．71eV，离日盲区还 C 多其它材料所无法比拟的优异性能，如原料易得、 有一定的距离¨¨。早在2006年，JinM等人已 廉价、无毒，热稳定性好，熔点高和激子束缚能高 经用PLD法以不同Mg成分的靶材制备了一系列 (室温下大约60meV)等等。通过Mg的掺杂可MZO薄膜，而且Mgo彤Zn。．660样品的带宽能量已 调节其禁带宽度(3．3—7．8eV)，覆盖了紫外日 经接近4eV，且呈现单一六方相J。这是当时报 盲波段(220～280nm，对应的带宽为4．46—5．64 道所见最接近日盲区的六方结构的样品了。但 eV)，从而使得其成为紫外探测器等光电器件的 是，该文没有考虑制备样品的工艺参数会引起靶 重要候选材料，倍受国内外研究人员的关注。制 材与薄膜成分相差很大的问题，还是以靶材的Mg 备MZO薄膜的方法有很多，如溶胶一凝胶(Sol—成分当作薄膜的Mg成分来看待。 Gel)法¨．2J、磁控溅射(RF)法¨1、金属有机化学在我们的前期工作中，利用PLD法和用 气相沉积(MOCVD)法HJ、分子束外延(MBE) 法哺，61和脉冲激光沉积(PLD)法[7“¨等。其中，低Mg组份的六方相MZO和高Mg组份的立方相 PLD法具有成膜结晶质量好、适用范围广、效率高 MZO薄膜。在本论文中，我们选用Mgo2Zn。．。O 等优点，是一种极适于制备高质量MZO薄膜的方 为靶材，通过调节生长的工作压强，实现了高Mg 法。国内外的研究机构在MZO合金紫外探测器的 组份且单一六方结构的MZO薄膜，禁带宽度最大 研究方面已经取得了不少成果。如，2008年印度达到4．05eV。本工作为制备单一均相，且在日 光电器件实验室采用PLD法，分别以Mgo．。Zn090盲波段工作的MZO薄膜样品奠定了基础。 和Mgo．：Zn。．。O靶材制备不同生长压强的MZO薄 2 实 验 膜。但所得的薄膜样品中，六方相的带宽只有 3．5eV左右，而带宽到了4．56eV的样品却已经 采用PLD法(LambdaPhysicsCompexpro 是立方相了【l0|。2009年，美国的Wei等也是用 205，KrF，248nm，20Iris)和Mgo．2Zno80陶瓷靶， PLD法，选用Mg组份为15％的靶材在不同衬底