扫描隧道显微镜对半导体表面和单分子电子学和研究.pdf

摘 要 1982年扫描隧道显微镜(STM)的发明使人们第一次能够从实空间在原子 尺度上来观察和研究物质世界。STM在物理和化学领域取得了巨大的成功，不 但能够对表面原子结构成像，测量与表面电子行为有关的局域的各种物理化学等 特性和过程，而且可以进行原子分子操纵和纳米结构加工。在第一章中，我们首 先简要介绍了s1M的发展以及其基本原理，特别是Bartcen微扰理论。为了让 人更好地理解STM得到的数据结果，我们详细地介绍了STM的工作模式，包 括STM形貌图、STS谱，特别是dwV图像化技术的原理和应用方法，该技术 在本文中研究局域电子态的空间分布有极大的作用。对于STM的应用领域，我 们主要介绍了S1M对研究对象的形貌、构型和电子态分布的原子级分辨，以及 了S1M如何对纳米结构进行操纵和在单分子化学反应领域的作用。 半导体表面特别是硅(Si)表面一直是表面物理研究的一个主要方向，而 Si(111)7x7重构表面以其复杂的表面结构一直在理论和实验上受到重视。表面空 位缺陷对原子在表面的吸附、扩散、生长和操纵等过程有着重要影响，但在实验 上一直研究不多。在第二章我们用STM和理论计算对Si(1lI)7x7重构表面的四 种单个空位缺陷的电子态进行了系统研究。STS谱和dl／dV图均发现空位缺陷在 ．0．55V出现一个特征电子态，理论计算表明顶戴原子缺失后，其下原来与之键合 的三个主干原子中有两个位置向远离表面的方向移动，正是这两个主干原子的悬 挂键贡献了这个电子态。还发现空位可以使邻近二个剩余原子在dI／dV图中消失， 这是由于空位的存在使该剩余原子的屯子态在能量上也发生移动，以致在相应的 dl／dV图上观察不到该剩余原子。此外其他能量的电子态也进行了讨论。 一定条件下Ag原子在Si(111)．7x7表面可以形成√3×√3的重构，以往在 为主要有Sl、s2和S3三个表面态。第三章中我们通过STM的dFdV图可以得到 不同能量处电子态的实空间分布，通过辨识不同的图样，除了原有的Sl、S2和 S3态外，我们发现了两个以往研究中没有报道过的电子态。理论研究表明此两个 电子态为表面共振态，且模拟的．STM形貌像和dFdV图均与实验相符。其次， 我们还研究了该表面缺陷的电子态结构，通过对比理论计算和STM形貌图，可 以认为该缺陷为缺失了一个Ag三聚物的结果。在．1．0V以下，dI／dV图和形貌图 能分辨出缺陷位置，而且从dI／dV图中我们除了可以看到缺陷的电子态分布，还 可以观察到缺陷对周围电子态的影响范围可以达到次近邻的Si三聚物位置。而 在．1．0V以上及正偏压部分，该缺陷在dFdV图和形貌图中不能被分辨，表面表 现与完整表面一样，理论计算也得到类似的结果。我们认为，在．1．0eV以上，表 面电子态为Sl态，该态为扩展的类自由电子态，其费米波长大于缺陷尺寸，使 得在这个能量范围内，缺陷不能被分辨。 利用针尖的特殊性来探测材料的隐藏信息，可以得到普通针尖得不到的效 果，这样的研究在目前也得到了重视。在第四章中我们除了用STM研究Au(1111 表面上不同覆盖度的cobalt 不同的针尖对单个CoPe分子的电子态信息进行了研究：一种是普通的w针尖， 另一种是Fecoated 得到的结果不同，其中Fe／W针尖观测到在．0．4V处有很强的峰，而W针尖没有 观察到这个峰。我们模拟了这两种针尖的电子结构和CoPe分子的电子结构，并 由计算的电子态模拟了STS谱，与实验相吻合。由于Fe／W针尖的轨道与Co原 中放大这个电子态，探测到了普通w针尖不能探测到的态。该实验显示了如何 用不同过渡金属制成的STM针尖来选择性地探测单个分子的电子态，并且从理 论上和实验上提高了对S1M实验结果的理解。 如何调控单分子的输运性质，在单个分子上实现诸如晶体管或开关等器件的 特性一直是人们关注的焦点。以往的研究中机制通常是通过调控或改变分子某方 面的性质来单分子的输运性质。在第五章的研究中，我们提出了一种新的机制一 利用电极和分子的轨道之间的空间对称性匹配一来调控单分子的输运性质。通过 这种方法我们成功的实现了Ni针尖与CoPe分子屯(d由轨道之间的共振隧穿， 观察到了比较强的负微分电阻效应，理论计算也很好的符合实验结果。除了锥状 的针尖模型外，平板状的电极模型也可以得到同样的结果。我们的结果不仅为新 的负微分电阻器件提供了新的机制，而且为将来构建单分子器件提供了新的思 路。 II