相变特性氧化钒薄膜制备工艺及快速热处理与研究.pdfVIP

摘要 二氧化钒(V02)薄膜具有优良的从半导体相到金属相的相转变特性，相转变 前后其电学、光学性质(太赫兹(THz)波段)均发生突变，是应用于光开关、THz 波调制等器件中的理想功能材料。高性能V02薄膜的制备一直是研究的热点。 为了制备具有良好相变特性的V02薄膜，采用反应磁控溅射和快速热处理工 艺相结合的制备方法，在硅基二氧化@(Si02／Si)和单晶硅(si)两种衬底上分别进 行了溅射时间与氩氧L匕侈t](Ar／02)这两个条件对氧化钒(VOx)薄膜相变性能的影 响研究。利用四探针测试系统与太赫兹时域频谱系统(THz．TDS)对快速热处理前 后的VOx薄膜进行了电阻温度特性及THz光学特性进行了测量，运用现代微观 分析手段对VOx薄膜的表面形貌、微观结构、薄膜中钒氧化物的结晶状态以及 钒的价态信息进行了分析；获得了相变幅度超过3个数量级的高相变性能的VOx 薄膜，得出具有单斜结构的(011)晶向的V02在薄膜中占主要成分是薄膜产生 相变的主要原因。 经过500。C／30s的快速热处理后，Si02／Si衬底上制备的Ar／02比例为48：1．2 (seem)，溅射时间为15min和30min两个样品上均出现了半导体．金属的电学和 THz光学相变特性。其中15min的VOx薄膜比30min制备得到的薄膜具有更优 的相变特性，方块电阻变化达到3个数量级，THz时域脉冲信号振幅强度变化接 近70％。而且通过其电学和光学相变参数进行分析比较发现，升温和降温时的 TI-Iz光学相变温度都要比电学相变温度高，持续的温度范围要长。 对于Si衬底上制备的VOx薄膜研究表明，只有Ar／02比例为48：1．4(sccm)， 理后可以具有相变特性。薄膜中的主要成分为单斜结构的具有(011)晶向的V02， 其中25min制备得到的VOx薄膜具有良好的电学与THz光学相变特性，并且随 着快速热处理温度的升高，VOx薄膜表面的颗粒和晶粒尺寸都是逐渐长大的过 程。 最后，通过THz．TDS系统对Si衬底上VOx薄膜的光致相变特性进行了研究， 结果表明，随着激励光功率由OmW升高到502mW，VOx薄膜对THz波的时域 和频域信号均产生衰减作用，衰减的幅度最高达25．6％。 黉?鼬词： 氧化钒薄膜相变快速热处理太赫兹光学特性 ABSTRACT Vanadium filmshaveexcellentSemiconductor-Metal dioxide(V02)thin phase transitionwith mutationinelectricaland huge couldbetheidealfunctionmaterialsusedin switchandTHz properties，which optical modulator．Thefabricationof thinfilmsisafocusofresearch． V02 highperformance Inthis filmswith transition oxide(VOx)thin paper,Vanadium goodphase were on and Sisubstratereactive Si02／Si propertyprepared singlecrystal by and thermal conditionsof magnetron sputteringrapid