半导体异质结中的电子迁移率及压力效应.pdf

半导体异质结中的电子迁移率及其压力效应 摘要 本文采用记忆函数法，分别以III-V族异质结半导体和II一Ⅵ族应变型异质 结半导体为研究对象，从理论上讨论半导体单异质结中平行界面方向的电子迁 移率及其压力效应． 带弯曲的实际异质结势的影响，同时计入电子向异质结势垒层的隧穿效应，利 散射下，界面附近电子迁移率随温度、趟组分和电子面密度的变化关系及其压 力效应．结果显示：电子迁移率随温度、压力的增加而减小；随砧组分和电子 面密度的增加而非线性增加．且两种光学声子的散射作用均随压力增强，IO声子 的变化幅度更为显著．同时发现，在光学声予散射下，电子迁移率随越组分的 缓慢增加，主要是由IO声子决定的；而电子迁移率随电子面密度增加的变化则 由LO声子决定． 为进一步深入讨论异质结中电子的带间散射提供依据，采用三角势近似异 质结的导带弯曲效应，通过数值计算方法求解薛定谔方程，研究流体静压力影 形进行了比较分析．发现平面双轴应变使电子的能级降低，能级间距减小，且静 压效应加剧了该下降趋势．同时，应变导致波函数的隧穿几率增加． 在上述工作的基础上，进一步改进理论模型：同时考虑沟道区及垒区存在 自由应变时对半导体物理参数的调制作用，以及运用简化相干势近似(SCPA)计 算II一Ⅵ族三元混晶效应，讨论Cd组分、电子面密度的改变对电子本征态的影 响．结果显示，随着Cd组分的增大，能级和能级间距增大，波函数隧穿进入垒 区的几率逐渐减小．而且发现，随着电子面密度的增大，波函数隧穿几率增加， 同时本征能量也随之增大，而能级间距逐渐减小． 异质结为研究对象，采用三角势近似并计入有限深势垒的限制效应，运用记忆 函数方法，研究光学声子作用下应变异质结体系中电子的迁移率及其压力效应， 分别讨论了带内散射及带间散射对迁移率的贡献．结果表明：内部平面双轴应变 效应降低电子的迁移率，且外部流体静压力加剧了这种下降趋势．因此，讨论电 子在应变型异质结构中的散射问题时，需要计入材料间由于晶格不匹配丽产生 的应变效应的影响．同时发现，电子迁移率的变化主要来自于沟道区LO声子的 贡献．另外，带间散射和带内散射对于压力条件下的电子迁移率同样重要，而不 容忽略． 关键词：异质结，电子迁移率，压力效应，应变 Ⅱ ELECTRoNMOBILITYIN HETEROJUNCTIoNSANDITS HYDRoSTATICPRESSURE EFFECT ABSTRACT Inthis to thesis，amemo巧function discuss approach(MFA)is adopted theelectron totheinterfacesin theoretically mobility parallel of III-·V semiconductorsandinstrained consistinggroup heterojunctions consisting ofII—VI the effecton semiconductors，and the isalsobeen group