clt;60gt;-金属纳米复合膜制备与研究.pdfVIP

摘 要 本文工作主要包括以下三个方面： 1．Cu—C。。、Ag-c60共蒸颗粒堕的结构和物性的研究。 光谱、吸收光谱等方法研究了膜的物性。f结果如下： 形成了某种键合作用，原位的电导测量表明膜的导电特性取决于膜中金属和C。。 形成的界面。对实验结果的综合分析表明，在金属一C。共蒸膜中形成了金属和 c。的界面相。该界面相是由金属对c。的掺杂形成的，界面相是一些纳米颗粒 度性质研究，我们发现样品的界面相的导电性随温度的变化有如下特征：在低 序相变温度(一23。C)的温区内呈半导体性，说明其导电性质显著地受c。有序． 无序相变的影响。我们进一步研究发现界面相的电导与温度关系符合非晶态的 变程跃迁导电(Variationhopping)即：Ln 相变温度以下的温区，其电导符合关系：Lna一1／T。这一结果是我们首次发现。 定性较差，热效应可以破坏其界面相的结构。对金属一C。。界面相的退火和气体 吸附研究发现，该界面相稳定性均不好，退火效应可以破坏界面相的结构，研 究还表明气体吸附对界面相的导电性质影响非常显著，甚至可以破坏界面相的 存在。 我们的研究结构表明C。。和贵金属能够形成界面相，该相具有很好的导电 性。由于该相是一些很薄的界面层，因而是一种二维结构。广—矿一、一 2．Sb诱导生长的C60膜的直流电导研究． 通过原位直流电导测量研究Sb对C6Q膜的物性的影响。倍果如下： 由sb诱导生长的c。膜的电导率比原态C。。的电导革要高卜个数量级以上， V 说明这种膜中残留有一定量的Sb，观察到Sb与C。。掺杂形成了界面相，该界面 相是我们首次发现。界面相有类似原态C。。的有序一无序相变，但相变温度要比 原态c。。的要高约15。c。研究还表明气体吸附对该界面相有破坏作用。 膜的物性的影响的认识，，对由这一方法生长出的C。。膜应用的可能性具有指导意 义。卜”一，r， 3．c。覆盖的金属非连续颗粒膜的电导研究。 我们采用双源轮流蒸发的方法先在云母等衬底上沉积一层分离的金属Ag、 In颗粒膜，然后再在其上覆盖一层C。并实时测量C。覆盖时膜的电导变化， 原位电导测量完成后用TEM观察了膜的形貌·阪们的结果如下： TEM形貌表明我们研究的金属膜是分离的颗粒膜，膜的颗粒大小与膜是名 义厚度成正比。 在金属膜上覆盖c。分子层时，膜的电导迅速增加约两个数量级，当c。分 子层厚约为2～3分子层厚时，膜的电导率达到极大值，继续增加C。覆盖层厚 度，膜的电导有迅速减小，膜的电导形成一个电导峰，电导峰的大小与金属颗 粒的大小成正比。为了确认产生电导迅速增加的原因，我们研究了C。。覆盖半 导体分离颗粒膜，发现没有出现金属膜时的电导峰。因此我们认为C。覆盖金 属颗粒膜时出现的电导峰与金属一C。。之间的相互作用有关。对样品出现电导峰 时其电导率的研究发现，在覆盖的C。。层厚为1~2个分子层厚时，沉积在绝缘 结果是我们首次报道。卜。～ VI Abstract Thisthesis includethree partsofaspects： 1·Structureand characteristicsresearchofmetal-c60(metah films evaporatedgranular films Metal-C60granular two—source method preparedby CO—evaporateat different andAFMareusedtodetectthe temperatures．TEM ofthe