用导电原子显微镜研究锗硅量子点和量子环的形貌和电学特性.pdfVIP

摘要 用导电原子力显微镜研究锗硅量子点和量子环 的形貌和电学特性 系别：塑堡堂丕 专业：一篮．塞．奎物理． 姓名： 昱墓 导师：三迅麴援扬新蕴副教授 摘要 以半导体量子点为代表的半导体纳米结构在光电子、微电子和单电子器件领 域有着重要的应用前景，在硅衬底上自组织生长的GeSi量子点由于与成熟的硅 集成电路工艺兼容而更具有特殊的意义，是当前的研究热点之一。而量子点的量 子物理特性是构筑许多纳米电子器件及单电子器件的基础，因而在纳米尺度上研 究单个量子点的电学性质极为重要。导电原子力显微镜(CAFM)是近年来发展起 来的一种扫描探针显微镜，它能同时得到样品表面纳米尺度的形貌信息和电学信 息。因而CAFM可以用来表征单个量子点的微结构及其物理特性，从而为材料 的控制生长和应用提供依据。 本论文使用CAFM研究了自组织生长的GeSi量子点和GeSi量子环的形貌 和电学性质，主要取得了以下结果： l、研究了样品表面的自然氧化物对量子点电学性质的影响。通过分析I-V 特性曲线，根据针尖与量子点之间自然氧化物的存在与否将针尖与量子点间的接 触分为两种类型：金属一半导体接触和金属一氧化物一半导体接触，它们对应的 电流传导机制分别为热电子发射和F-N隧穿。通过对电流分布图像分析获知， 电流分布并不随着施加正压力的大小而改变分布特性；同时，电流分布也不随着 暴露时间延长而增加的氧化物厚度改变。这就为在大气环境下使用CAFM研究 电流分布图像的可靠性提供了基本的依据。 2、研究了偏压对CAFM得到的GeSi量子点的电流分布图像影响。在较小 的偏压．0．5～．2．0V内，量子点的电流分布特征保持环状，量子点中心部位的导 电性弱于边缘部位。量子点区域的电流值统计表明，其符合对数正态分布函数， 遵从正态分布的随机变量的均值Io和偏压的关系满足F-N隧穿关系；偏压增加 至．2．5--4．0V范围内，量子点的电流分布特征呈圆盘状，量子点中心的导电性 比边缘好。电流值的统计图中显示出多元对数正态分布特征。第一均值Io和偏压 的增长关系符合热电子发射模型，在高偏压下量子点中心电流值出现了饱和现 I!III II lIII I III I I I IIl Y1 965652 摘要 象。通过对量子点电流分布图像的电流值统计数据的对比，发现了随着偏压的增 加，量子点的电流传导机制从F-N隧穿向热电子发射转变的过程。 3、使用CAFM观察到了GeSi量子点的荷电现象。在量子点的I-V特性曲 线中，有明显的电流峰产生，对应的载流子充放电过程速度极快，只能在快速的 扫描过程中才能捕获到，因此在一般常规的稳态扫描中观察不到。电流峰的位置 和强度等参数是和扫描的速度、方向、电压范围、时间等密切相关。其具体的物 理机制是因为空穴被限制在了氧化物／GcSi量子点／Si衬底组成的量子阱中。这是 首次观察到单个量子点的荷电现象。 4、研究了GeSi量子环的电流分布特征和I-V特性曲线。使用CAFM直观 地观察到了随着Si覆盖层的增加，量子点向量子环的转变过程中电流分布的变 化特征。随着覆盖层的增加，电流分布从最初的量子点的环状分布特征转变为十 字交叉形状，此时对应金字塔结构量子点；当覆盖层加厚，量子点形貌为mound 时，电流分布特征不明显；继续增加覆盖层至量子环形成，其电流分布特征与形 貌对应呈环状，且量子环环状电流分布的特征并不随着外加电压的增加而变化。 量子环上的I．V特性曲线呈现出明显的共振隧穿特性，这是由于空穴在应变诱导 的量子环势场的平面间的隧穿造成的。这是首次在室温条件下观察到量子环结构 的共振隧穿现象。 关键词：锗硅量子点，锗硅量子环，导电原子力显微镜，单个量子点电学性 质，电流分布 分类号：0469，0472+．1，0472+．4，0481．1，0485