用激光加工样品生成低维量子结构及其强荧光效应.pdfVIP

摘要 用激光加工硅样品生成低维 量子结构及其强荧光效应 摘要 Q ClIl的P型掺杂单晶硅样品表面打出 激光束照射在电阻率为10一20 小孔，在孔内的侧壁上形成较规则的网孔状结构，该结构有很强的光 致荧光(PL)，发光峰中心约在706nm处。该结构的光致荧光峰强度 比电化学加工纳米硅的光致荧光峰大约大两个数量级以上。通过改变 激光辐照的时间和功率使到达硅表面的激光能量改变，发现网孔状结 构的尺寸发生变化，同时光致荧光的强度也发生改变，但光致荧光峰 的位置不变。这种光致荧光峰的钉扎效应单独用量子受限效应不能很 好地解释。我们发现：当激光辐照时间约为9s时，孔洞侧壁上的网 孔状结构较稳定、且有较强的PL发光。 我们将激光与硅样品的作用隔离于无氧化的环境里，分别比较了 将硅样品浸入酒精、氢氟酸和水中进行激光加工与检测的结果。发现 在酒精和氢氟酸中激光加工的硅样品几乎不发光；而在水中的激光加 工的样品有微弱的PL发光，水在激光的辐照下会发生分解、释放出 少量的氧原子。这证实了氧在光致荧光增强效应方面起着重要的作 用。 我们用冷等离子体波模型来解释：fL倾lJ壁网孔状结构形成的机理； 并用量子受限及其硅纳晶与氧化硅界面态的综合模型来解释纳米网 孔结构的PL发光的钉扎与增强效应。 摘要 关键词 激光辐照，纳米网孔壁，光致荧光增强，氧化 中图分类号：TN249 文献标识码：h abstract Hole—-netstructureand onSiliconirradiationoflaser by Abstract formedonsilicon Akindofhole—netstructurecanbe by sample irradiationwith laserof 1 30W、wavelength064nm、repeat pulse power 800HZand width8ns．The frequency pulse inthehole—netstructure．ThePL centeris emissionisenhanced peak in areobtained about706nm．The conditions preparing optimum and havefoundthatthePL center time laser peak (irradiation power)．We donotalterwith sizesofhole—net effectofPL changing