电子束蒸发备纳米氧化锌掺铝薄膜及其光电性质研究.pdfVIP

摘 要 氧化锌(ZnO)是一种具有六方结构的II-VI族宽带隙半导体材料， 室温’卜．带隙宽度高达3．3eV。由于氧化锌具有较高的激子束缚能 (60meV)，保证了其在室温下较强的激子发光，因而被认为是制作紫外 半导体激光器的合适材料。自1997年首次发现ZnO室温紫外受激发射 以来，ZnO研究已成为继GaN之后紫外发射材料研究的又一研究热点。 而近年来ZnO薄膜作为ITO薄膜的替代材料，成为透明导电薄膜的新 宠，正引起人们F1益广泛的关注。 本文介绍了采用电子束蒸发方法在Si衬底和石英衬底上制备出 了具有C轴择优取向的氧化锌掺铝(ZnO：A1)薄膜材料，并通过后退火 的方法进一步改善了薄膜的质量。采用x射线衍射谱、光致发光谱、 低温光致发光谱等测量手段对样品的结构和光学特性进行了表征。通 der 过Van Pauw测试方法，对ZnO：A1薄膜的电学性质进行了分析。 实验结果表明利用电子束蒸发方法制备的ZnO：A1薄膜材料，在 经过氮气气氛下退火处理后，能够表现出较好的发光和结构特性。并 且发现低温退火有利于Al31离子扩散进入ZnO中的zn”离子格位，而 高温退火反而会降低掺杂比。电学测量还表明，500oC为最优化退火 潺度。这为进一步研究ZnO：A1薄膜的特性奠定了一定的基础。 der 关键词：ZnO：A1薄膜，退火，光致发光，VanPauw测试 Abstract Zincoxideis a II—V1wide semiconductorwithwurtzite structure．Duetothe exciton crystal large of ensuresthe efficientexcitonic 60mev，which bindingenergy high at is asoneofthemost emission rooro_temperature，itregarded promising for efficient blue materials ultraviolet(UV)andlightemitting fabricating at devices．Sincethefirstobservationofthestimulatedultravioletemission the of room hasbecomeanother in UV temperature，ZnO hotspotregion are films as ZnO(ZAO)thineme唱ing lightemittingresearching．A1一doped for analternativecandidate ITO(Sn-dopedIn203、films potential