Flash存储器中电荷泵分析.pdfVIP

y 摘要 随着90ntoCMOS工艺的不断成熟和完善，半导体存储器(闪存)产品的工 作电压、工作功耗和生产成本也随之快速降低。上世纪70年代末提出的基于集 成电路的电荷泵电路模型已不能满足实际器件操作时较低输入电压的要求，由此 对电荷泵电路的研发设计提出了更高的要求。本文的撰写围绕着电荷泵电路性能 的改进展开了深入地探讨。 论文对现有半导体存储器中电荷泵电路进行了系统的阐述，在具体分析若干 典型电路的基础上，同时结合自己的理解和在实际工作中的经验和体会，针对现 有电路的不足之处提出了改进型电路模型，并阐述了该模型的优点，从而对促进 电荷泵电路在半导体存储器中的应用和进一步实用化作出了相应的贡献。 论文的创新点主要集中于以下三部分： ·针对文献【21中输出电压和级数成非线性关系的缺陷作出了分析，提出了相应 的解决方案； ●首次给出了电荷泵电路初始化的新型结构，以此保证电路的正常开启，并实 现加快输出电压上升速度的功能； ·从电荷泵电路基本模型的理论出发，结合半导体器件的物理特性，给出了电 荷泵电路各器件参量的最优选择方案。 关键词： 电荷泵电路、电压倍增电路、四时钟驱动电路、体效应 ● Abstract The to the thanthe charge-pumpcircuits，beingappliedgeneratehighervoltage available a of theflash supplyvoltage，havevarietyapplicationsincludingmemory， SO EEPROMandon．Becauseoftheintensivedemand from for high coming voltage the mechanismsuchastheoxide physical tunneling,therequiredpumpedvoltage be asthatof can’tscaled the correspondingpower-supplyvoltage．Therefore，an ● circuitisessentialto the efficient achieve fromthe charge-pump highvoltage availablelow voltage． supply Thisarticlefocusesonthe threeareas： following 。The circuitwiththecontrollable is charge-pump bodyvoltageproposed．By the ba