bcll;,gt;hlt;,2gt;外延生长p型硅反应机理的理论研究.pdfVIP

BCl3／H2外延生长P型硅反应机理的理论研究 研究生：马琳 指导教师：孙仁安 学科专业：物理化学 中文摘要 次在理论上对以BCl3作为掺杂源，在常压氢气氛下实际外延生长P型硅的整 个过程的微观反应机理进行了理论研究。计算得到了各反应通道中的反应物、 中间体、过渡态和产物的构型，给出了每个反应通道的反应活化能。对所有 过渡态的虚频振动模式进行了分析，并进一步作IRC(内禀反应坐标)路径 分析，来最终确认我们所找的过渡态是准确的。 计算得到整个气相反应的主反应通道为：BCl3和H2反应生成BHCl2和 到BH3和HCl。整个反应过程中无B原子的出现。气相反应中BCl3和H2的 反应能垒最高，是反应的速控步。分别用Si2、Si3、S“原子簇模拟硅衬底， 计算结果表明：在气相中不能直接生成的B原子可以在硅衬底上生成，从而 完成晶体的掺杂生长。BCl3的吸附产物和H2或H原子反应的能垒均比气相中 直接反应低很多，可以说这是硅衬底的加入影响的结果。在衬底上自行分解 脱去HC!的能垒最高，是衬底上所有反应的速控步，但与气相中直接脱去HCl 相比，还是低了不少。可以看出硅衬底的加入，大大降低了反应活化能。 本论文能解释该体系气相外延生长P型硅的一些实验现象，从理论上给出 了化学反应的微观反应机理，为实验工作者设计实验工艺以及提高工作效率， 提供了动力学信息。 关键词三氯化硼； 外延生长；过渡态：理论研究 Abstract In mechanismsofthereactionwhichtake as this BCIgH2 paper,the impurity weire forthefirsttime．The of investigatedtheoretically geometries flOUlCt：gases all and havebeen reactants，transitionstates，intermediatesproductionsoptimized atthe II G”level．Theactive ofeachreactionchannel BHandHLYP／6·3 energy WS．S the vibrationmodeofalltransitionstatesand calculated．Analysisimaginary order states． reaction toconfirmthetransition ]RC(intrinsiccoordinate)in inthe WaS resultsshow The ofthereactiongas calculated，the paths phase that reactwithcan and toletlctwith BCl3 H2 BHCl2HCI．13HCl2啪continue get