icp-aes定高纯钨中杂质元素的方法研究.pdfVIP

摘 要 本论文对电感耦俞锥躺，{●原予发射光潜(ICY一～§)分析中基 体钨对21种分析元泰的光谱干扰、基体效应及其校正方法进行了较 为系统、深入冠研究。 在此基础上研究拟定了两种测定高纯钨中痕量杂质元素的新方 法。利用钨酸沉淀分离钨后I(P—A璐测定的方法操作较为简便，快 Sb、m、v等元素该法难以测定。利用氢氧化铟共沉淀分离富集杂质 作较为费时，该两种方法经回收试验及实际试样分析检验，表明方 法准确度及精密度均符合要求。已用于株洲硬质合佥厂的生产样品 分析。 ／本文对使用不同类型仪器不分离钨基体进行直接分析的可能性 也进行了探讨。表明使用单道扫描型或全谱型仪器并应用相应校正 软件，进行直接分析是可能的，并能解决采用璜分离方法尚难以同 时测定№、越、V等元素的难题，限于仪器条件这一工作还待进一 步研究。^卞 the Ine imerfermc葛andmatrixeffectd乜舶圆啦en,Cgldetermi- spectral studied nationof21dementsandcalibrationmetl∞dstrovebeen systemati— and cally deeply． On她baseofit．twon册l(P—A醛for ilYl却- in hawbeen withsepera- rideshighpuritytungsten developed．ⅢleⅡleIh】d tion acid is andcBnbeusedfor d删ughnmgsticprecipitationsingle．rapid thedetetmirmtkaaof d旺I删ts COilnot Sn．劢intmagstetl，butlike旭，Fe，Mo．Pb，Sb。m．V acid． bedetemained becauseoftheiroopmctpjtati∞withbmg随ic accurately methodwith dementsthrough 1he preooncejatmtim矗t2tace by canbeusedforthedetemahaaticm In(0H)3 in costs tm_】ff,sten．but Cr，岛，Fe．№：，Mn。pb。Ni．鼢．Sb。m．Zn loi_19eItime． tothe of of mle忉Dmet_beds赋ar,pli。dm-mlysish醛mpurity乜】理赋en and Z}H】矗瑚lCementedCarbidePlant．，】南eaccnr．acy ofred n谢10dsaIe ofmmr￡aYar