集成电路芯片制造实用技术 教学课件 卢静 第4章 氧化20101031.pdfVIP

集成电路芯片制造实用技术 第4章 氧化工艺 目录 4.1 概述 4.2 二氧化硅膜特性及应用 4.3 热氧化 4.4 二氧化硅膜制备方法 4.5 实训：氧化设备操作入门 4.1 概述  硅表面上总是覆盖一层二氧化硅（SiO ）， 2 即使是刚刚解理的硅，在室温下，只要在空 气中，一暴露就会在表面上形成几个原子层 的氧化膜。氧化膜相当致密，能阻止更多的 氧原子通过它继续氧化。  这种天然形成的氧化层厚度只能达到40Å左 右。形成的二氧化硅不但能紧紧地依附在硅 衬底上，而且具有极为稳定的化学特性和电 绝缘特性。 4.1.1 氧化介质膜的基本结构  本节将讨论氧化介质膜的基本结构模式， 从而揭示其可以降低在其体内的某些化学 元素的迁移速率的内在机理。随后，将简 要地讨论热生长法制备氧化介质膜的常规 工艺手段及其介质膜置备过程中的动力学 模型，介绍对热生长氧化介质膜基本过程 所进行的数学描述。 4.1.1 氧化介质膜的基本结构 图4-1 结晶型二氧化硅的二维结构示意 图4-2 非本征无定型二氧化硅二维结构 4.1.1 氧化介质膜的基本结构 图4-3 充当网络改变剂元素的行为描述 4.1.2 氧化硅介质膜影响杂质迁移行 为的内在机理  在相同的条件下，杂质在硅材料中已达到 预定的扩散深度时，而其在SiO2介质膜中 仅迁移了极为有限的距离，远没有达到 SiO2与Si的交界面（常描述为SiO2-Si ）。 杂质没有扩散通过（或称为穿透）覆盖在 硅表面的二氧化硅介质膜，故在二氧化硅 层保护下的区域则不会有杂质进入，二氧 化硅在客观上确实起到了掩蔽杂质的作用。 4.2 二氧化硅膜特性及应用 4.2.1 二氧化硅介质膜的主要性质  1. 二氧化硅的密度 2 ．二氧化硅的折射率  3．二氧化硅的电阻率 4 ．二氧化硅的介电强度  5．二氧化硅的介电常数  6．二氧化硅的化学特性 4.2.2 氧化硅层的主要应用 二氧化硅的重要应用可归结为以下几个方面：  （1）表面钝化层  （2 ）掺杂阻挡层  （3 ）表面绝缘层  （4 ）器件绝缘层 4.2.2 氧化硅层的主要应用 图4-4 作为掺杂阻挡层的二氧化硅 4.2.2 氧化硅层的主要应用 图4-5 作为绝缘层的二氧化硅层 4.2.2 氧化硅层的主要应用 图4-6 在MOS栅极中，二氧化硅作为场氧化 4.2.2 氧化硅层的主要应用 图4-7 在固态电容里的二氧化硅层 4.3 热氧化  氧化反应是需要的能量，在硅技术里，这 些能量来源于对晶圆的加热，所以被称为 热氧化反应（Thermal Oxidation ）。二氧 化硅层在常压或高压条件下生长。常压氧 化发生在不必有意控制压力的系统中。有 两种常压技术：炉管反应炉和快速氧化系 统 。 4.3.1 水平炉管反应炉 4.3.1 水平炉管反应炉  水平炉管反应炉从20世纪60年代早期开始应用在氧化、 扩散、热处理以及各种淀积工艺中。它最先被开发用在锗 技术甲的扩散工艺中。直到如今一直被简单地称作扩散反 应炉（Diffusion Furnaces）。更准确、更通用的词叫做 炉管反应炉（Tube furnace ）。  图4-8显示了一个有三个加热区的水平炉管反应炉的横截 面图。它包含一个