《含TSV结构的3D封装多层堆叠Cu／Sn键合技术》.pdfVIP

DOI：10．13290／j．cnki．bdtjs．2014．01．014 先 含 TSV结构的3D封装多层堆叠 Cu／Sn键合技术 进 封 吕亚平 ，刘孝刚 ，陈明祥 ，刘胜 装 (1．华 中科技大学 机械科学与工程学院，武汉 430074； 技 2．武汉光电国家实验 室 MOEMS研究部，武汉 430074) 术随 摘要 ：研究 了利用 Cu／Sn对含硅通孔 (TSV)结构的多层芯片堆叠键合技 术。采用刻蚀和 电 镀等工艺，制备出含TSV结构的待键合芯片，采用扫描 电子显微镜 (SEM)对 TSV形貌和填充 效果进行 了分析。研究了Cu／Sn低温键合机理，对其工艺进行 了优化 ，得到键合温度 280cI=、 键合时间30S、退火温度 260oC和退火时间 10min的最佳工艺条件 。最后重点分析 了多层堆叠 Cu／Sn键合技 术，采用能谱仪 (EDS)分析确定键合层 中Cu和 Sn的原子数 比例 。研 究了Cu层 和Sn层厚度对堆叠键合过程的影响 ，获得 了 l0层芯片堆叠键合样品。采用拉力测试仪和四探针 法分别测试了键合样品的力学和电学性能，同时进行了高温测试和高温高湿测试 ，结果表 明键合 质量满足含TSV结构的三维封装要求。 关键词：三维封装 ；硅通孔 (TSV)；Cu／Sn低温键合 ；多层堆叠；系统封装 中图分类号：TN405．97 文献标识码 ：A 文章编号 ：1003-353X (2014)0l-0064-07 M ultilayerStack Cu／Sn BondingTechnologyfor3D Packagingwith TSV LnYaping ，LiuXiaogang ，ChertMingxiang 一，LiuSheng’ (1．SchoolofMechanicalScienceandEngineering，HuazhongUniversityofScienceTechnology，Wuhan430074，China； 2．DivisionofMOEMS，WuhanNationalLaboratoryforOptoelectronics，Wuhan430074，China) Abstract：A Cu／Sn multilayerstack bonding technology for 3D—TSV system—in—packaging was studied．Somekeytechnologiessuchasthroughsiliconvia(TSV)technologyandelectroplatingprocess wereusedtopreparethesamplechipwithTSV．ThemorphologyandfillingeffectofTSVwereanalyzed usingscanningelectronmicroscope(SEM)．Cu／Snlow—temperaturebondingmechanismwasstudiedand theprocesswasoptimized to determine the bestcondition to form the bestbond layer．The bonding temperaturewas280 oC ，thebondingtimewas30 S the annealingtemperature was260 oC and the ， annealingtimewas10 rain．Finally，multilayer stack Cu／Sn bonding technology wasanalyzed．The atomicityratioofCuandSninbondinglayerwasdeterminedusingenergydispersespectroscopy(EDS)． Theinfluence ofthe Cu