原子层沉积——专题.pptVIP

4.2 非金属先驱体 分为两类 氧化类非金属先驱体 还原类非金属先驱体：沉积金属元素薄膜，H也许是最常用的还原剂 但是分子氢惰性很高需要很高的沉积温度，因此PE-ALD。。。 对氮化物来说，需要氮源和还原剂已达到清洗表面反应的目的，在很多情况下一种化合物如NH3即作为氮源又作为还原剂，如ALD沉积TiN,W2N薄膜 对硫族化合物薄膜来说，可以用S、Se和Te作为先驱体，另一金属源可选择挥发性且反应活性较高的金属。 如（ZnS） 对ALD氧化物来说，先驱体可以是水、双氧水、氧气、臭氧等，基于所选择的金属先驱体。 4.3 金属先驱体 最常用的挥发性含金属的ALD先驱体可分成五种，卤化物、-diketonate complexes, N-coordinated compounds (amides, amidinates), alkoxides, and true organometallics。 金属卤化物：一般水作为氧源，沉积速率高且对工业应用来说价格合理，但是对精细应用来说，在温度较低的情况下可产生卤化物对薄膜的污然，另外卤化氢的演化过程会导致对薄膜的腐蚀及刻蚀问题。 -diketonate-type metal chelates因他们的挥发性而闻名因此它们最初通过分级升华金属合成，良好的热稳定性和挥发性使它们适用于ALD如果一种较强的氧化剂被应用的话。但是容易聚合、易与环境反应使挥发性降低，导致不稳定，特别是有较大和中心离子如锶、钡等。 有机金属先驱体，TMA (alumina); Cyclopentadienyl化合物:大多具有挥发性和热稳定性 薄膜质量，如光学、电学、机械性能是最重要的质量因素，选择的先驱体和温度将影响沉积的温度和杂质的含量。 4.4 新的ALD过程 常规的：两个半反应 新的过程：用TMA作为催化剂快速沉积SiO2 限制因素：非金属先驱体的低反应活性或者高毒性。如HF，腐蚀、毒性 MLD（molecular layer deposition)结合，无机—有机薄膜的制备。 5.应用 主要的工业应用是半导体器件的制造，如记忆器件及微处理器。 5.1 显示器 5.2 集成电路 超薄薄膜的精确控制、低缺陷密度和高度的规整性。ALD已经被半导体公司用于IC的生产。从1990s开始。 高度的规整性是ALD应用于半导体记忆元件的主要驱动力。50：1的深宽比，从2005年ALD已经被用于DRAM（动态随机存取存储器）的生产，使尺寸降低的更小且深宽比达到100：1 5.3 硬盘驱动 更小的临界尺寸和更具有挑战性的磁头导致替代PVD获得更规整的涂层，ALD被选择作为一种新的方法去更深入的降低尺寸，ALD高质量的超薄绝缘层伴随有低针孔密度。ALD AlOx已经用于读取头几年了，且ALD薄膜和纳米线被发现可用于读写过程，如沟道填充、通道栅层及封装方面。 5.4 部件的功能和保护涂层 抗腐蚀涂层以提高部件的机械性能，如MEMS的膜润滑剂、摩擦膜，高度的表面规整性也使复杂部件的涂层成为可能，包括内部的管道和洞穴。 李兴存 等离子体物理与材料实验室 2010.1.22 “原子层沉积”专题汇报 Atomic Layer Deposition 引言及背景 原子层沉积的基本模式 原子层沉积的优势 原子层沉积的先驱体、材料及过程 原子层沉积的应用 概要 1.引言及背景 原子层沉积（ALD：atomic layer deposition): 是一种基于有序、表面自饱和反应的化学气相沉积薄膜的方法。 先驱体：两种或者两种以上，各含所需沉积薄膜的元素，交替吸附在基片表面，每次只有一种先驱体，彼此独立。每种先驱体使基片表面饱和形成一单分子层。 冲洗气体：冲去表面吸附后多余的先驱体——保证每一脉冲在基片表面形成一单分子层；使先驱体彼此在气相不反应。一般是惰性气体，如Ar气、N2等。 时间：1秒—几秒，基于反应设备和过程的设计 温度：通常是200—400度 沉积速率：一般1埃/周期 1974, Finland, Suntola. ALD技术的商业应用是由Suntola和他的合作者在70年代中期发展起来的，为了生产薄膜电致发光平板显示器，现在已经发展到多种工业应用，包括半导体器件的生产。 2.原子层沉积的基本原则 原子层沉积通过在反应区独自引进具有高反应活性的先驱体，这些先驱体各含所沉积薄膜的元素，这种方式使不受控制的气相反应得以避免。——均匀、规整，可控。 这种机理同时也使薄膜生长的过程除了先驱体的反应活性及温度敏感外，对其他参数并不敏感，如气压等。 原子层沉积周期图示 一般的沉积速率是1埃/cycle，有时基片表面没有形成单分子层大都是因为先驱体化合物基团的阴影效应；通过控制周期数达到精确控制薄膜生长的厚度，通常薄膜