《全集成绝缘体硅CMOS单刀十六掷天线开关设计.》.pdfVIP

第34卷 第4期 固体电子学研究与进展 Vo1．34，No．4 2014年 8月射 RESEARCHPROGRESSOFSSE Aug．，2014 {}!频 与 I《 微 I《 波 (I v 全集成绝缘体硅 CMOS单刀十六掷天线开关设计 崔 杰 。 陈 磊 赵 鹏 康春雷 史 佳 牛 旭 刘 轶 (中国科学院上海高等研究院，上海 ，201210) (。中国科学院大学，北京，100049) 2014—03—04收稿 ，2014—04—02收改稿 摘要：利用高衬底电阻率的 180nm绝缘体硅 (SO1)CMOS工艺设计了一种全集成的可用于手机和无线手持设 备的多模多频单刀十六掷 (SP16T)天线开关。由于衬底 电阻率高达 1kQ ·CiTI，且在器件选取和电路结构设计方面 采用 了多种技巧，实测结果显示 ，十六路开关分支 的插损 O～3GHz频段 内均小于 2dB，隔离度平均大于 35dB，回 波损耗小于一20dB，功率处理能力超过 36dBm，完全满足设计要求。 关键词 ：绝缘体硅 ；单刀十六掷 ；回波损耗 ；插入损耗 ；隔离度 中图分类号：TN710．2；TN820．8 3 文献标识码 ：A 文章编号：1000—3819(2014)04—0362—05 DesignofaHigh--performanceM onolithicSO1 SP16T AntennaSwitchM odule CUIJie，。 CHEN Lei ZHAO Peng KANG Chunlei SHIJia NIU Xu LIU Yi (ShanghaiAdvancedResearchInstitute，ChineseAcademyofSciences，Shanghai，201210，CHN) (GraduateUniversityofChineseAcademyofSciences，Beijing，100049，CHN) Abstract：Takingadvantageofthehighresistivesubstrate180nm silicon—on—insulator(SOI) technology，ahigh—performancemonolithicsingle—polesixteen—throw (SP16T)antenna switch moduleformulti——modemulti——bandcellularandwirelesshandsetapplicationshasbeen designed andfabricated．Theswitchhasbeenintegratedina1kn ·cm resistivitysubstrate．W ith carefu1 deviceevaluationandcircuitdesign，theoverallswitchbranchesexhibit 2dB insertion1OSStill 2．7GHzand 35dB isolation， 一 20dB returnlOSSandthecapabilityiSover36dBm ，which allmeetthedesignexpectation． Keywords：silicon—on—insulator (SOD ；single-polesixteen—throw (SP16T)；returnloss；inser— tion lOSS：isolation EEACC：118O；5270 重视 ，其中包含了支持 2G／3G／4G共三代的移动通 士