掺杂zno薄膜其缓冲层的制备和性能研究.pdfVIP

掺杂ZnO薄膜及其缓冲层的制备和性能研究 摘要 ZnO是一种宽禁带半导体材料，具有优异的光电学性能，在紫外探测器、 透明导电极、太阳能电池、液晶显示器等领域有广泛的应用前景。但纯的ZnO 薄膜几乎不导电，通常通过掺杂提高ZnO薄膜的性能，以满足制备不同器件的 要求。 及划痕仪等对薄膜的结构和性能进行了表征，详细分析了工作气压、退火温度、 氧氩比及溅射功率对ZAO薄膜结构和光电学性能的影响。此外，为了解决ZAO 薄膜与单晶硅(1 oo)衬底间晶格失配大，薄膜质量差的问题，我们在ZAO薄膜 单晶硅(1 00)基ZAO薄膜结构和性能的影响。文章的主要内容如下： 第一章主要介绍了ZnO薄膜的晶体结构、特性、应用、制备方法及本文研 究的目的和内容。 第二章主要介绍了薄膜的生长过程、磁控溅射的原理、实验所用的仪器及 材料、薄膜的制备过程及表征方法。 第三章研究了工作气压、氧氩比、退火温度等溅射工艺参数对玻璃基ZAO 仪对薄膜的结构、成分、表面形貌、光学和电学性能进行了表征，获得了制备 薄膜的最佳工艺参数。 影响，通过XPS分析计算得到当Al掺杂量为1．17％时，薄膜的光电性能最佳。 第五章主要研究了不同工艺参数下SiC薄膜的沉积速率及退火温度对SiC 缓冲层结构和表面形貌的影响。 形貌、光致发光、电阻率和膜基结合力进行了表征。 第七章对全文进行总结并对以后的研究方向进行了展望。 关键词：ZAO薄膜；反应共溅射；SiC缓冲层；光学性能；电学性能； and of ZnOThin PreparationsProperties Doped FilmsandBuffer Layers ABSTRACT ZnOisawide semiconductormaterialwithexcellent bandgap hasbroad inthefield ofultraviolet properties，andappliedprospects detector， conductive ZnOthin transparent pole，solarcells，and liquidcrystaldisplay．Pure filmsarealmost elementscan its non-conductive，however doping improve inordertomeetthe ofdifferent performance requirementsdevices． Inthis thinfilmswere on and paper，ZAO preparedglass silicon(100) substratetheA1／Zn reactive by double—targetmagnetron XRD，