Si%2fGe纳米薄膜光电性质的模拟计算分析.pdf

中文摘要 中 文摘要 本论文采用基于密度泛函理论的CASTEP软件，在第一性原理的方法的支撑上， 对Si、Ge、Si／Ge进行了结构的优化，并系统地研究了它们的几何结构、电子结构和光 学性质。 分析单晶Si计算所得的结构、能带、态密度和吸收谱，可以看出，在费米能级附 近P轨道的态密度远大于S轨道的态密度，室温下体相Si在可见光范围内对光的吸收 非常微弱，由于求解Kohn-Sham方程往往没有考虑体系的激发态，使得基本带隙宽度 比实验值小，计算后的Si晶格参数与实验数据基本吻合，这就说明本论文所选计算方 法的可靠性。建立Si和Ge的掺杂结构模型，Ge原子以替位式杂质的形式存在于Si晶 体中，掺杂摩尔比约为3．1％。研究其计算结果得到以下结论：Ge／Si包埋结构是间接带 隙半导体，禁带宽度略小于Si；Ge／Si包埋结构的吸收系数发生明显变化，掺杂Ge原 定得减弱，使Ge／Si包埋结构的吸收系数减小，但吸收带边有明显的蓝移，并且吸收带 宽明显变窄。 分析单晶Ge计算所得的结构、能带、态密度和吸收谱，结果表明，室温下单晶 Ge光吸收峰在5．0eV处，位于紫外区域，对可见区光吸收较弱；Ge为间接带隙半导体， 族原子中，原