《国内外碳化硅电力电子器件技术进展》.ppt

* 因为电力电子器件工作时自发热较多，额定工作结温一般在125℃。 所以室温测试对于电力电子器件来说意义不大，所有测试都是在结温125℃下进行。 和硅二极管对比。硅二极管是国际整流器公司的600V-30A超快二极管：IRGP30B60KD。碳化硅二极管是我们的600V-30A SiC JBS。 应用：续流二极管对IGBT模块的影响 * 续流二极管对IGBT模块的影响 IGBT的开通特性：左图硅二极管，右图碳化硅二极管。 减少了IGBT电流尖峰，减少了EMC。 测试条件： VCC=400V;IC=35A;Rg=27?;Tj=125℃.CH1:IC=15A/div;CH2:VCC=100V/div;timebase=200ns/div ——IGBT开通 * 续流二极管对IGBT模块的影响 ——IGBT开通 参数 单位 Si-diode SiC SBD 条件 VCC=400V;IC=35A;VGE=15V;Rg=27?,感性负载Tj=125℃ td(on) ns 70 70 tr ns 50 50 E(on) mJ 1.0 0.7 Ipeak A 84 60 IGBT 开通特性比较 * 续流二极管对IGBT模块的影响 ——IGBT开通 在不同电流下，和两种二极管配对的IGBT开通能耗比较。 * 续流二极管对IGBT模块的影响 IGBT的关断特性：左图硅二极管，右图碳化硅二极管。基本没有差别。 测试条件： VCC=400V;IC=35A;Rg=27?;Tj=125℃。 CH1:IC=10A/div;CH2:VCC=100V/div;timebase=200ns/div ——IGBT关断 * 续流二极管对IGBT模块的影响 二极管的反向恢复特性：左图硅二极管，右图碳化硅二极管。 测试条件： VCC=400V;IF=-35A;Rg=27?;Tj=125℃ CH1:IC=15A/div;CH2:VCC=200V/div;timebase=100ns/div ——二极管反向恢复 * 续流二极管对IGBT模块的影响 35A下，二极管反向恢复特性比较。另外，碳化硅二极管的软度 比硅二极管高，所以电压尖峰从560V下降到440V，过电压从160V （40%过电压）下降为40V（10%过电压），提高了模块的可靠性。 参数 单位 Si-diode SiC-JBS 减小比例 条件 VCC=400V;IF=35A; Rg=27?,感性负载Tj=125℃ Irr A 40 14 65％ trr ns 126 62 51％ Qrr uC 3.3 0.3 90％ Erec mJ 0.7 0.07 90% ——二极管反向恢复 * 国内外碳化硅电力电子进展 IC-CHINA 2010 CETC第五十五研究所 李宇柱 2010年10月23日 * 一、碳化硅的市场 二、国外技术进展 三、我国发展状况 四、发展建议 内容提要 * 碳化硅相比于硅的优势 与硅相比，碳化硅（4H-SiC）具有： 10倍以上的临界电场强度 3倍禁带宽度 3倍的热导率 工作于更高的温度和辐射环境 更高的系统效率（损耗降低1/2） 芯片面积1/5 工作频率高， 10kV器件@20kHz 单个器件更高的电压（20kV以上） 可减小体积和重量：减少或免除水冷，免除笨重的50Hz变压器。 * 600V-1200V 的碳化硅器件 节能，高频的SiC二极管，目前用于高效电源（包括LED TV的电源）、太阳能逆变器。 等开关器件量产之后，将引领另一波增长，比如混合电动汽车可可以取消一路制冷，省油10%。比如5kW的 inverter，比硅系统小7倍，轻8倍，节能20%（同时满足）,非常适合在空间飞行器、飞机上的应用。 * 1700V-6500V的碳化硅器件 比如风力发电、电力机车。 2020年欧洲风能增加6倍，每个5兆瓦的风力发电机需要160兆瓦的电力电子器件，市场巨大。在这种更高电压，更大功率的应用中，碳化硅器件节能，高频优势更加明显。Cree已经推出1700V，25A二极管产品。 。 * 高于10kV的碳化硅器件 10kV的存取电系统：未来电网有更多的分布式新能源（太阳能，风能。。。），需要储存电能。降压，储存，升压这一个来回，SiC可以节能10%，并且去除笨重的60hz变压器。 HVDC：中国西电东输。挪威的海上石油平台，欧洲海上风电场需要长距离高压输电。需要20kV或更高电压的碳化硅器件。 * 低电压市场爆发增长，高压器件将陆续出货 1.第一波市场是肖特基二极管：2008销售额达2300万美元，2010年已达1亿美元。（2010财政年度,2010年7月为止）。去年Cree 二极管销售增长120%。2005年以来平均68%的年增长率。 2.器件价格不断下降。从2007年到2010年