SiOlt;xgt;Nlt;,ygt;和SiClt;,xgt;Nlt;,ygt;薄膜中氮流失的研究.pdfVIP

摘要 随着纳米技术的迅速发展，半导体纳米晶成为很有潜力的未来的光电材料。 硅氧氮和硅碳氮薄膜均是三元薄膜，它们可调节的成分范同大且相组成复杂，在 退火过程中硅氧氮和硅碳氮薄膜容易发生氮流失，生成硅单质和碳化硅。这将成 为一种新型的制备纳米晶的方法。 本文采用射频磁控溅射的方法，通过改变靶材以及氩气和氮气的流量比制备 了一系列不同成分的硅氧氮和硅碳氮薄膜，并对薄膜进行了不同温度的退火。研 观结构(TEM)，发光性能(PL)分析。 氩气和氮气的流量比是影响薄膜成分的最重要参数。研究发现，只有该流量 比处于最佳值8／2时，才会使硅氧氮薄膜的氧含量最低，氮含量最高，此时样品 的发光强度也最高。这是由心+和N一的不同溅射能力造成的。 靶材也是影响薄膜成分的重要参数。与氮化硅靶相比较，使用纯硅靶溅射得 到的硅氧氮薄膜中氧含量要低的多，这是由于二者的溅射速率不同所导致的。前 者的溅射速率低，在缓慢沉积的过程中必然会有较多的氧掺杂进入薄膜中。 对硅氧氮薄膜进行退火，温度越高，氮流失程度越大，而保温时间对氮流失 程度的影响不大。在1000℃进行退火时有硅悬键引起的可见光发射，但是进行 1100℃退火后由于掺杂的氧与硅悬键结合，充当发光中心的缺陷减少，发光强 度降低甚至消失。 在1000℃退火后硅碳氮薄膜中的氮基本完全流失，形成了高密度的SiC量 子点并观察到了紫外光和可见光。紫外光是由于缺陷导致的，可见光的发光原因 与SiC纳米晶的量子限制效应有关。 关键词： 硅氧氮硅碳氮磁控溅射退火SiC量子点 ABSTRACT Withthe of havebecomethe developmentnanotechnology,nanocrystalspotential and havea variableof materials．SiOxNySiCxNysystems large range photoelectrical and the process， compositionadjustablephasestructures，especially,duringannealing in the elementis to leadstoSiorSiC left nitrogen easyescape，which nanocrystals theoxidematrix．Itisdestinedtobeanewmethodof nanocrystals． fabricating thin withdifferent Inthis seriesof and films research，a SiCxNvSiOxNv were reactive the compositionsdepositedby r．￡magnetronsputteringbychanging Ar thefilmswereannealedat andratiooftheflowrateof and