Bi2223高带材的交流损耗.pdfVIP

Bi2223高温超导带材的交流损耗 摘 要 f 。}【!力廊刚4i仪 Bi2223足¨}j“干j龌实现夫觇模应辟j的赢温超导体之 要求Bi2223带材具有高的I临界电流密度和机械性能，丽且必须要有骶的 损耗，以降低它的运行成本和提高装臂稳定性。人们通过对低温超导体交 流损耗的研究已经积累了大量的实验结果和较完善的理论，Bi2223高温超 导带材的交流性质总体卜与传统低温超导体相似，侗也有区别，例如高温 超导体的高II缸界温度、短的相_}长度、颗粒特性和强烈的各向异。雌等使得 高温超导体的损耗机制与传统低温超导体的不完全相同。近年来，尉内外 对高温超导体的交流损耗理论和测量进行了大量研究，促进了·苛温超导体 的实际应用。悻’I。作研究了Bi2223高温超导带材的磁场温度行为，以及 各种F也磁条件卜带材e1；的交流损耗特性，目的是理解高温超导体交流损耗 的机理，降低带材的损耗。 订第 及其磁滞行为以及临界电流的各向异性和机械性能。对高温超导体磁滞损 耗、耦合损耗、涡流损耗及白场损耗研究的理论进展进=『亍了lf细介绍，ji 翰要介}f{了复杂lU磁条件卜交流损耗的计算方法，同时对交流损耗的测试 技术、+实验结果及J电用进展进行了详细介绍，最后提m了本文的研究内容。 (临界电流足决定超导体交流损耗的关键因素，劂此在分析带材的交流 损耗之前有必要研究临界电流的磁场温度行为。拖第+．章中，我们『f|旧i)l 线法研究了42K f：≮场‘卜+Bi2223r滔濉超导带材的【。(B)特r{．。嬉；1j粜表19川f}j界 决Jj 15l¨HJ弱连接，咖住较岛磁场时，它．}要墩决+J：晶内磁通钥扎，川t d，／J。fo J同 ro 样I铺，甜／．1 J的峰值1々．B／lab时较小(约为022)而B／／c时较人(约为 0 Bile 3)，川11,r，B／labII,J。“／，0J的峰值研刈J、i的磁场远人j II、JffjJffi．它 仃JI的比值约为10，州J。零场下4；f用性能的样品，，陀能较筹的样-I¨|f『；擀{也流 的磁滞现象较叫!-＆．们甜／／roJ的峰值所对应的磁场更小，朋Mullef的漤J骢 胡口发东北久学博卜硷文 岑场附近自场最高达到100T量级，可与外场相比较，自场与外场叠加改 变r带材周围磁场的分布。首次发现带材厚度和芯丝分布的变化对J。(B) 的影响较小。 对77K低场下Bi2223带材的临界电流的磁场行为研究表明：双对数 举标FI。(Bsin0)曲线在低场出现的平台现象主要是由带材中晶粒失配角所 导致的，而较高场下的曲线都可以用同一函数进行标度。其次，77K下 Bi2223带材的Ic(e)没有出现临界电流关于角度磁滞的现象。另外，77K下 自场的影响不能忽略，77K下Ic(B)磁滞现象非常弱。最后。本文给出了 25～77K时J。(B，T)的数据，同时在零场时』。*(1一r／to)“木 在第三章中，我们详细分析了Bi2223高温超导体传输交变电流时的 l—V特性。性交变电流的一周内感应电压与电流成线性关系，而损耗电压 成非线性关系，这可以很好的解释实验观察到的样品上的电压随时间变化 的波形。一般情况下样品的损耗与临界电流成反比，但由于n值、芯丝之 间的耦台和桥连等的影响可能会出现异常的情况。首次发现带材中超导芯 丝集中在带材损耗密度高的边部分布时，自场损耗因子较小，即提高带材 边部的载流能力，有助于降低损耗。在外加应变条件下，带材的临界电流 降低导致样品自场损耗的增加：由于合金带材的机械性能较好，在临界应 变约(O．2％)以下时损耗基本与应变无关，丽当应变较大时，损耗随应变的 增加而增加；纯银基体样品的损耗受应变的影响相对较大。我们首次发现 热循环也会降低带材的临界电流从而导致自场损耗增加。对于电压波形不 同时Bi2223带材自场损耗的不同，我们首次提出不同电压波形会使得带 材产生的自场的变化率不同是主要的原因。在负载相同幅值和频率电流时 自场变化率较大的三角波形电压产生的损耗较大、正弦波其次、锯齿波更 小、而方波电压产生的损耗最小。77K时多