最新第四章半导体的导电性.pptVIP

第四章半导体的导电性 §4.1载流子的漂移运动 迁移率 本节主要内容： 欧姆定律的微分表达式 二. 漂移速度和迁移率 三.半导体的电导率和迁移率 练习 T=300K时，砷化镓的掺杂浓度为NA=0，ND=1016cm-3，设杂质全部电离，电子的移迁率为7000cm2/V.s, 空穴的迁移率为320cm2/V.s，若外加电场强度ξ=10V/cm,求漂移电流密度 练习 课本习题4 一、载流子散射的概念: 二、半导体的主要散射机构 三、其它因素引起的散射 一.平均自由时间?和散射概率Ｐ的关系 二.电导率、迁移率与平均自由时间的关系 三. 迁移率与杂质和温度的关系 §4.３ 迁移率与杂质浓度和温度的关系 §4.３ 迁移率与杂质浓度和温度的关系 　设在x方向施加电场　，设电子有效质量　 各向同性，受到的电场力q|ξ|。在两次散射之间的加速度　　　。刚好遭到一次散射的时刻作为记时起点，散射后沿x方向速度　　，经过t时间后又遭到散射，再次散射前的速度 　　　　　　　　　　　 求在电场方向（即x方向）获得的平均速度。 对t～t+dt时间内受到散射的电子 因为任何情况下，几种散射机制都会同时存在 对Si、Ge主要的散射机构是声学波散射和电离杂质散射 结论：对低掺杂的样品PsPi，迁移率随温度增加 而减低。 练习 半导体体内存在两种散射机制。只存在第一种散射机制时的迁移率为250cm2/V.s，只存在第二种散射机制时的迁移率为500cm2/V.s 。则 两种散射机制同时存在时的总迁移率 cm2/V.s 一、电阻率和杂质浓度的关系 二、电阻率随温度的变化 工艺生产中，用四探针法可以直接测出硅片的电阻率，就可以查表知道杂质浓度。反之知道杂质浓度，就可以查表得电阻率。但是对高度补偿型半导体，杂质很多，总的杂质浓度很大，电阻率很大，不能以此来判断材料的纯度。 本章小结 一 重要术语解释 1．漂移：在电场作用下，载流子的运动过程。 2．漂移电流：载流子漂移形成的电流。 3．漂移速度：电场中载流子的平均漂移速度。 4．迁移率：关于载流子漂移和电场强度的参数。 5．电阻率：电导率的倒数；计算电阻的材料参数。 6．电导率：关于载流子的材料参数；可量化为漂移电流密度和电场强度之比。 7．电离杂质散射：载流子和电离杂质原子之间的相互作用。 8．晶格散射：载流子和热振动晶格原子之间的相互作用。 本章小结 二 知识点 学完本章后，同学应具备如下能力： 1．论述载流子漂移电流密度。 2．解释为什么外加电场作用下载流子达到平均漂 移速度。 3．定义迁移率，并论述迁移率对温度和电离杂质 浓度的依赖关系。 本章小结 三 复习题 1．写出总漂移电流密度方程。 2．定义载流子迁移率。其单位是什么 3．解释迁移率的温度依赖性。为什么载流子迁移率 是电离杂质浓度的函数？ 4．定义电导率、电阻率。他们各自的单位是什么？ 公式 平均漂移速度和迁移率 练习 题后习题3，9，7,17 300k时，本征 Si: ?=2.3×105Ω· cm ， 本征Ge: ? =47 Ω· cm 本征GaAs: ? =200 Ω· cm ?与n、 ? 有关，n、 ? 　与温度Ｔ和掺杂浓度Ｎ有关。 §4.４ 电阻率与杂质浓度和温度的关系 　　轻掺杂时（1016～1018cm-3）：室温下杂质全部电离，轻掺杂时，?随Ｎ的变化不大，所以　?与掺杂浓度成反比。 　　重掺杂时（1018cm-3）:　?～Ｎ曲线偏离反比关系 ① 杂质在室温下不能全部电离。 ② 迁移率随杂质浓度增加而下降。 (1) ?与Ｎ的关系 §4.４ 电阻率与杂质浓度和温度的关系 §4.４ 电阻率与杂质浓度和温度的关系 室温下，Si的电阻率与杂质浓度的关系 §4.４ 电阻率与杂质浓度和温度的关系 室温下，Ge和GaAs电阻率与杂质浓度的关系 §4.４ 电阻率与杂质浓度和温度的关系 二、电阻率随温度的变化 杂质半导体：随温度Ｔ增加，n，p有杂质电离和本征激发，　?有电离杂质散射和晶格振动散射。 （1）AB段:　低温杂质电离区 温度很低，本征激发可以忽略。载流子主要由杂质电离提供，随Ｔ上升，n增加。迁移率主要由电离杂质散射起主要作用，?随Ｔ上升而增加。 所以，电阻率随温度升高而下降。 §4.４ 电阻率与杂质浓度和温度的关系 （2）BC段:　饱和区 杂质全部电离，本征激发不十分显著，载流子浓度基本不变，晶格散射起主要作用，　?随Ｔ的增加而降低。所以电阻率随Ｔ的增加而增加。 （3）CD段:　高温本征