非晶氟化碳薄膜稳定性研究.pdfVIP

摘要 摘要 以C4Fg和CH4为源气体，在微波电子回旋共振等离子化学气相沉积 (Ec艮cVD)系统中，制备了氟化非晶碳薄膜(a．c：F)，并对其在N2中进行了退 火处理。用椭圆偏振仪对退火前后的膜厚及折射率的变化进行了测量；用傅立叶 变换红外光谱(FTm)、x射线光电子能谱(xPs)分析了薄膜中的基团和键结合 电学性能；使用扫描电子显微镜(sEM)和原子力显微镜(AFM)分析了薄膜的 表面形貌。本文重点研究了微波功率、源气体流量比和退火温度对a-c：F薄膜的结 构和热稳定性的影响，并考察了在N2气氛下热处理后a-c：F薄膜的结构和性质随 退火温度的变化。 结果表明，随着微波功率的增加，cFx基团分解增多，引起膜中F含量逐渐降 低，C含量升高，薄膜中的交联结构增多，热稳定性增强。增大源气体中CH4的 比例，能够有更多的C原子参加成膜反应，得到更多的C—c交联结构，使薄膜的 热稳定性增强。位于a-C：F薄膜交联结构末端的C．C结合态和cF3热稳定性较差， 退火后易生成气态挥发物并导致a-C：F薄膜厚度减小。退火后a-c：F薄膜介电常数 由于电子极化的减小和薄膜密度的增大而上升，固定电荷密度和界面态密度由于 交联程度的增大和悬挂键数量的减小而下降。由于慢界面态的存在观察到C．v阻 滞(Hystercsis)现象，退火后界面态密度减小，阻滞效应减弱。 关键词：电子回旋共振化学气相沉积非晶氟化碳薄膜低介电常数热稳定性 AbsⅡ矗ct A6s妇cf Fluonnated carbonfilms ln衄crowaVe haVe elec仃on anlorphous been咖oslted resonance plas瑚chemicalVapord印osition(ECR·CVD)systemusingC4F8锄dCH4 勰sources wereaIlIlealedin film gases．Thefilms嬲一d印osited N2．ThcthickIlesswas meaSured andthebond was byellipsometer configIlrationanalyzedthrough Fo耐er—tr觚sfornlin丘面ed spec怕metcr(FTm)andX·“叮photoelec打onspec仃0scopy MISs讥1ctureswerefabricatedaIldelec埘caI ofa-C：F (xPS．Al，a-C：F／Si propenies filmsweremeasllred．Atomicf断ce elec仃oI】 microsc叩e(AFM)andsc釉ing to used film ofmicmwave microscopy(SEM)werestudymorph010垂es．The砌uence aIld也eratioofsourceontlle咖al in N2 power gas stabili母andan