物理冶金法单晶硅片电阻率对成品电池片效率的影响研究.docVIP

物理冶金法单晶硅片电阻率对成品电池片效率的影响研究 　　摘要：太阳电池工艺过程中少子寿命值的变化，揭示了少子寿命值在太阳电池生产过程中的应用，然而原始硅片电阻率的值对扩散后少子寿命具有决定性作用，本文通过实验得出物理冶金法硅片的电阻率与扩散后硅片的少子寿命之间的关系，比较不同电阻率段的物理冶金法硅片扩散后少子寿命及成品电池片效率，从而达到简化生产流程，优化生产工艺目的。 　　关键词：少子寿命；电阻率；物理冶金法硅片. 　　中图分类号：TU 43；O344 文献标识码：A 　　硅单晶主要技术参数有导电类型、电阻率与均匀度、非平衡载流子寿命、晶向与晶向偏离度、晶体缺陷等。在单晶电池片的生产过程中，原始硅片电阻率值的高低直接体现原材料的纯度即杂质的含量[1]，最终影响电池片的转换效率。 　　在单晶的拉制过程中是通过掺入一定量的活性杂质，以获得所要求的导电类型和电阻率。然而重金属铜、金、铁等和非金属碳、氧都是极有害的杂质，它们的存在都会使PN结性能变坏。P型单晶硅多掺硼，N型单晶硅多掺磷，在硼、磷的掺杂及单晶硅的生产过程中不可避免带入其它元素，如碳、氧等元素。硅中碳含量较高，低于1ppm者可认为是低碳单晶。碳含量超过3ppm时其有害作用已较显著。氧的存在有益也有害。直拉硅单晶氧含量在5～40ppm范围内；区熔硅单晶氧含量可低于1ppm。由于杂质分布不匀，电阻率也不均匀。电阻率均匀