第5章 放大电路的频率响应详解.pptVIP

第一节 频率响应概述 第二节 晶体管的高频等效模型 第三节 场效应管的高频等效模型 第四节 单管放大电路的频率响应 第五节 多级放大电路的频率响应 第六节 频率响应与阶跃响应 重点掌握：频率响应的基本概念，求解单管放大电路的上限频率、下限频率和波特图的方法。多级放大电路的频率参数与各级放大电路的频率参数的关系。 5.1.3 波特图 （Bode Plot） * 第五章 放大电路的频率响应 5.1.1. 研究放大电路频率响应的必要性 在放大电路中，当输入信号频率过高或过低时，其放大倍数的值会减小，并产生相移（超前或滞后）。说明放大倍数是信号频率的函数，这种函数关系称之为频率响应或频率特性。 产生这种现象的原因：放大电路中存在电抗元件（电容、电感等）及晶体管存在极间电容。 5.1 频率响应概述 幅频特性 相频特性 fL ：下限截止频率 fH ：上限截止频率 fbw ：通频带（-3dB带宽） 频率响应特性的表达 -2700 |Au | f O f 00 φ Au 0.707Au fH fL fbw 900 1800 - - 典型放大电路的频率响应 5.1.2. 频率响应的基本概念 （1）高通电路 τ称为时间常数 fL称为下限频率 f Au fL 1 0.707 f φ 900 450 （2）低通电路 fH 称之为上限频率 f Au fH 1 0.707 f φ -450 -900 放大电路中的频率参数 在低频段，随着信号频率逐渐降低，耦合电容、旁路电容等的容抗增大，使动态信号损失，放大能力下降。 高通电路 低通电路 在高频段，随着信号频率逐渐升高，晶体管极间电容和分布电容、寄生电容等杂散电容的容抗减小，使动态信号损失，放大能力下降。 下限频率 上限频率 结电容 波特图：采用对数坐标 横轴：对数刻度：lg f 对数幅频特性曲线 纵轴：20 lg（Au） （dB） 对数相频特性曲线 纵轴：不变 10 20 30 40 50 60 O f 10 102 103 104 105 106 lg f 优势： 开阔了视野 放大倍数的乘除运算变成了加减运算 高通电路的幅频特性曲线和相频特性曲线 低通电路的幅频特性曲线和相频特性曲线 5.2.1. 晶体管的高频混合?模型 rbb’ ---基区体电阻 rc -----集电区体电阻,很小,可忽略 re -----发射区体电阻,很小,可忽略 rb’e’---发射结电阻, rb’e’≈ rb’e rb’c’---集电结电阻, rb’c’≈ rb’c Cb’e’---发射结电容 Cπ Cb’c’---集电结电容 Cμ 右图为晶体管结构示意图： 图中考虑了发射结和集电结电容的影响。 5.2 晶体管的高频等效模型 一、完整的混合? 模型 。 称为跨导 使得 引入常数 m e b m c m e b c b c e b c b g U g I g U I β I I C C , ￠ ￠ = ， 所以 成线性变化关系，且与信号频率无关。 与发射结电压 是频率的函数。而根据半导体物理的分析， 角均与频率有关，即 的大小、相 和 的存在， 和 在高频模型中，因为 二、简化的混合?模型 混合?模型单向化 简化的混合?模型 三、混合?模型的主要参数 5.2.2. 晶体管电流放大系数?的频率响应 （低通特性） 共射截止频率 幅频特性 相频特性 共基截止频率 特征频率 5.4.1 单管共射放大电路的频率响应 中频段:极间电容容抗大视为开路,耦合电容(或旁路电容)容抗小视为短路 低频段:主要考虑耦合电容(或旁路电容)的影响,极间电容仍视为开路 高频段:主要考虑极间电容的影响,耦合电容(或旁路电容)仍视为短路 5.4 单管放大电路的频率响应 （1）中频特性 （2）低频特性 写出幅频特性(对数形式)和相频特性 （3）高频特性 图(b)是一个低通电路 高频电压放大倍数 写出幅频特性(对数形式)和相频特性 （4）波特图 若同时考虑耦合电容及结电容的影响 低频与高频时的幅频特性(对数形式)和相频特性分别为 由上面两式可画出放大电路的波特图。 图中相频特性可写为 5.5　多级放大电路的频率响应 5.5.1　多级放大电路频率特性的定性分析 多级放大电路的电压放大倍数： 对数幅频特性为： 在多级放大电路中含有多个放大管，因而在高频等效电路中有多个低通电路。在阻容耦合放大电路中，如有多个耦合电容或旁路电容，则在低频等效电路中就含有多个高通电路。 多级放大电路的总相位移为： 两级放大电路的波特图 fH fL 幅频特性 f O fL1 fH1 6 dB 3 dB 3 dB fBW1 fBW