氟化物单晶的介电性能的分析.pdfVIP

捕 域 摘 要 由于卓越的光学性能、化学稳定性以及机械性能，氟化物材料具有非常可观 的科学研究价值和经济效益，近些年来引起了广泛的科学兴趣和研究。众所周知， 微量浓度的缺陷(杂质)即可对材料的性能产生显著的影响。光学性能研究表明氟 化物中存在多种本征缺陷。介质谱方法是一种描述缺陷行为的强有效的、非破坏 性的研究手段，所以可以充分利用其对缺陷的运动有个全面的了解。同时，作为 材料的基本特性之一，介电性能的研究在材料应用上有着重要的意义。本文以一 对其介电性能进行了系统的研究，得到的结果如下： (1)在室温到773K的温度范围内，对CaF2单晶样品的介电性能进行了研究。 观测到‘个类德拜弛豫和一个类铁电体弛豫。利用拉曼光谱和差示扫描热量法测 量证实了本征缺陷氟空位(啄)和氟填隙(f’)的共存以及外来氧离子缺陷的 存在。阻抗谱分析显示类德拜弛豫源于缺陷阼的运动：而类铁电体弛豫行为 与O”一睇复合体有关联。 K和频域100Hz一10 (2)在宽温域110—773 MHz对LaF3单晶样品系统的介电 测量中，随着温度的增加，依次观测到了两个热激活弛豫(R1，R2)和一个介电 异常(A)。较低温的弛豫Rl是氟离子在FI亚晶格中的扩散和跳跃所引起的极化 F2．3亚品格以及三个等权亚晶格中的离子交换有关。最高温区出现的介电异常A 则与电子．离子耦合感应引起的电感效应有关。 K的电学和 (3)利用阻抗谱和模量谱对MgF2单晶样品进行了从室温到1073 K的温度范围表现出本征 介电性能研究。阻抗谱分析表明MgF2单晶在低于773 介电性质，在更高温观测到一个热激活的类德拜弛豫，证实是由氟填隙运动引起。 这些性能表明MgFz单晶可以在栅介质、基板材料以及硅技术中的缓冲层等方面 具有广泛的应用前景。 (4)LiF单晶在从室温到1073K温区内表现出两套热激活弛豫(R1，R2)。激活 能为0．8 eV的弛豫Rl是与锂离子的扩散有关。弛豫R2的Arrhenius曲线被分界 温度598K和698 K分为低、中和高温段三部分。三段弛豫R2依照升温顺序分 T 万方数据 ：”7L物1≯fjjj00价l{_irL能耐}’f 别内F^、F3+心，F2心和F心引起。 一系列氟化物单晶样品利用介质性能测试和弛豫分析，发现宏观介电性能与 微观本征缺陷运动有关。 关键词：氟化物，介电性能，本征缺陷，氟心，热激活弛豫 II 万方数据 Abstract Thefluorideshaveattractedintensive andcommercialinterests technological totheir andmechanical owing superioropticalproperties，chemicalstability is well-knowthateventraceconcentrationsofdefectscanhave properties．It influenceonmaterial’S