n型窗口层材料及其在高速沉积微晶硅太阳电池中的应用研究.pdfVIP

第58卷第7期2009年7月 物理 学报 V01．58，No．7，July，200,) 1000．329012009158(07)15041．．05ACTAPHYSICASINlCA @200)Chin．Phys．soc． n型窗口层材料及其在高速沉积微晶硅 太阳电池中的应用研究* 张晓丹’ 赵 颖 孙福和 王世锋 韩晓艳 魏长春 孙 建 耿新华 熊绍珍 (南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室， 光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学，天津大学)，天津300071) (2006年lO月1日收到；2008年lO月29日收到修改穑) 采用常规的射频等离子体增强化学气相沉积技术制备了可以用于微晶硅薄膜太阳电池的n型的掺杂窗口层 材料．通过掺杂窗口层材料在电池中的应用发现：微晶硅薄膜太阳电池由于其电子和空穴的迁移率相差比较小而 显示出磷掺杂的n型的微晶硅材料也可以像硼掺杂的P型的微晶硅材料一样，可作为微晶硅薄膜太阳电池的窗口 层材料；两种窗口层制备电池的效率差别不大．而且量子效率(QE)测试结果显示两种电池的n，i和p，i界面没有明 显的区别；电池的双面不同波长拉曼光谱的测试结果给出：不论是n／i／p还是p，“n型的电池，在起始生长本征层阶 段均存在一定的非晶孵化层．最后，通过优化界面孵化层，单结n方向太阳光入射的n／i／p型的微晶硅太阳电池的效 率达到了7．7％． 关键词：n型的掺杂窗口层，P型的掺杂窗口层，微晶硅薄膜太阳电池 PACC：8115H。7360F 其带隙的宽窄、电导率的高低，将直接影响电池的短 1．引 言 路电流及填充因子的大小．现有的硅基薄膜太阳电 池中，不论是非晶硅薄膜太阳电池、微晶硅薄膜太阳 微晶硅薄膜太阳电池由于其具有非晶硅薄膜太 电池以及硅锗薄膜太阳电池，其窗口材料通常均是 阳电池的低成本优势，以及晶体硅太阳电池的相对 P型的材料，即太阳光从电池的P方向入射．而近些 稳定性而备受人们的关注，而且由微晶硅薄膜太阳 年来的研究发现：微晶硅薄膜中电子和空穴的输运 电池和非晶硅薄膜太阳电池组成叠层太阳电池已经 特性和非晶硅薄膜是不一样的。对于微晶硅薄膜，其 成为产业化研究关注的新一代技术【l-3】．目前，硅基 电子和空穴的迁移率相差并不大H】，这意味着微晶 薄膜太阳电池结构的核心部分为硼掺杂硅基薄膜P 硅薄膜太阳电池的窗口层材料不仅限于硼掺杂的P 层、本征硅基薄膜i层和磷掺杂硅基薄膜n层．已实 型材料，我们可以选择磷掺杂的n型材料，也就是太 现产业化的成熟的硅基薄膜太阳电池，主要采用透 阳光可以从电池的n方向入射．对于微晶硅薄膜太 明玻璃作衬底，而且考虑到非晶硅基薄膜太阳电池 阳电池而言，其窗口层材料除了具有高电导、高透过 中，空穴的迁移率要比电子的迁移率低将近2个数 率外，另一个很重要的性能特征要求是具有一定的 量级，因此要求太阳光必须从电池的P型层的方向 晶化率，因为这一掺杂层的窗口材料要成为随后的 入射，因此玻璃衬底上要求的太阳电池结构为p／i／n 有源层的种子层[5】，它将对电池本征i层的起始生 型，而不锈钢等不透明的柔性衬底需要的电池结构 长阶段产生很大的影响，也会很大程度上影响电池 为n／i／p型． 的性能，特别是对高速率沉积的微晶硅太阳电池．通 作为太阳电池中的关键材料之一的窗口材料， 常情况下，同硼相比，磷比较容易掺杂，因此微晶硅 点项目(批准号：2006DFA62390)和教育部新世纪人才计划资助的课题． t E-marl：xckhang@nanlm．edu．哪 万方数据 5042 物 理 学 报