基于AlxNy绝缘介质膜的新型窗口大功率半导体激光器.pdfVIP

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2016-03-28 发布于河北
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基于AlxNy绝缘介质膜的新型窗口大功率半导体激光器.pdf

第36卷第9期中国激光 V01．36，No．9 OF 2009年9月 CHINESEJOURNALLASERS 文章编号：0258—7025(2009)09—2277—05 基于Alx N可绝缘介质膜的新型窗口大功率半导体激光器乔忠良薄报学么艳平高欣张晶王玉霞刘春玲卢鹏李辉曲轶 (长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室。吉林长春130022) 摘要提升半导体激光器的腔面抗光学灾变(COD)损伤的能力，改善半导体激光器的工作特性，一直是大功率半导体激光器器件工艺研究的难点。基于薄膜应力使基底半导体材料带隙变化的原理，采用直流磁控溅射方法在不同条件下溅射生成不同内应力的Al，N，绝缘介质膜。通过研究大功率半导体激光器腔面退化机理，借助Al，N，等应力膜设计制作了一种新型非吸收透明窗口结构的宽条形半导体激光器，使器件平均最大输出功率提高46．5％，垂直发散角达到21。，水平发散角达到6．1。。2000h加速老化试验，其千小时退化速率小于0．091％。关键词激光器；高功率半导体激光器；非吸收窗口；AlN；应力中图分类号 0471．5 文献标识码 A doi：10．3788／Cj『2277 PowerSemiconductorLasersofNewWindowon High of InsulationFilm Al。N。 BoBaoxueYao GaoXin Yuxia Qiao ZhangJingWang Zhongliang Yanping LiHui Yi Liu Lu Qu ChunlingPeng (State on PowerSemiconductor Scienceand LaboratoryHigh Lasers，ChangchunUniversityof Technology， Key 130022，C先ina) Changchun，Jilin for lasersto theabilitiesoflaserstoresist AbstraetItisthemostdifficult semiconductor pointhighpower improve workcharactericof tothe thatthe offilm catastrophicopticaldamage(COD)and LDs．Accordingprinciple energygap materials strainstress。directcurrent hasbeanusedfor canbeinfluencedinternal magnetronsputtering preparing