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化学束外延（ CBE : Chemical Beam Epitaxy,） 20世纪80年代中期，综合MBE的超高真空条件下的束流外延可以原位监测及MOCVD的气态源等优点。 与CBE相关的还有气态源分子束外延 (GSMBE)和金属有机化合物分子束外延(MOMBE)，区别在于采用的气态源不同。 3.4.3先进外延技术及发展趋势 3.5外延层缺陷及检测 外延层质量直接关系到做在它上面的各种器件的性能，所以应检测、分析外延层缺陷及产生原因，并对外延层特征量进行测试： 外延层缺陷分析 图形漂移和畸变 层错法测外延层厚度 检测内容 电阻率测量 3.5.1外延层缺陷分析 外延层中的缺陷 表面缺陷：显露在外延层表面的缺陷； 云雾状表面、角锥体、表面突起、划痕、星状体、麻坑等。 体缺陷：存在于外延层内部的晶格结构缺陷； 层错 位错 线缺陷 外延层 （111）衬底 划痕 点缺陷 角锥体 层错 云雾状表面缺陷： 由于气源污染，衬底硅片清洗不干净，气象腐蚀不足等原因造成； ①雾圈 ②白雾 ③残迹 ④花雾 ①雾圈 ②白雾 ③残迹 ④花雾 3.5.1外延层缺陷分析 角锥体 星形线（滑移线） 划痕 3.5.1外延层缺陷分析 层错（堆积层错）：它是外延层中最常见的内部缺陷，层错本身