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100GHz 以上的 器件和集成電路芯片的表征 Kenneth H.K. Yau, Eric Dacquay, Ioannis Sarkas, Sorin P. Voinigescu ________________________________________________________________________________________ Kenneth H.K. Yau, Eric Dacquay, Ioannis Sarkas, and Sorin P. Voinigescu (sorinv@eecg.toronto.edu) are with the ECE Dept., University of Toronto, 10 King’s College Rd., Toronto, Ontario, M5S 3G4, Canada. 30 IEEE microwave magazine January/February 2012 （deembedding ）誤差以及儀器的動態范圍極為敏 感，而這些均隨著頻率升高會有所劣化。此外， 與大多數電路不同，由於晶體管的輸入和輸出阻 抗通常與 50Ω 相差甚多，因此，這便明顯地為達 到用於器件表征而測得的 S-參數和噪聲因素所要 求的精度增大了障礙。簡單地說，電路的 S-參數 相對而言還比較容易測量，但晶體管最大振蕩頻 率f MAX （從U 中提取出來的）以及最小噪聲系數 則並非如此。我們為什麼要這麼在乎呢？因為對 於那些不能測量的量，我們通常是無法准確建模 的，而f MAX 和 NFMIN 在毫米波電路和系統中是很 重要的性能因數（figure of Merits -FoM ）。更加 值得警惕的是，技術越昂貴（例如，32-nm 或22- nm 互補金屬氧化物半導體（CMOS ）），要准確 地測量晶體管性能就變得越具有挑戰性。幸運的 是，通過分別仔細地選擇基准電路，如低噪聲放 大器，靜態分頻器鏈路以及振蕩器等，晶體管 f MAX 和 NFMIN 的相對變化仍然可以從測量得到的 性能中分別間接地推導出來（S21 ，50-Ω噪聲因數， 自振蕩頻率，以及相位噪聲）。 相反，除了小信號 S-參數和噪