基于气体渗C的微弧氧化法制备C掺杂TiO2光催化薄膜.pdfVIP

基于气体渗C的微弧氧化法制备C掺杂TiO 光催化薄膜 2 荣永森 王彦成 江旭东 潘春旭 武汉大学物理科学与技术学院，中国 武汉 430072 摘 要：本文介绍了一种基于气体渗C的微弧氧化法(MAO)制备高含量取代型C掺杂TiO2光催化薄膜的 方法，即首先利用气体渗C技术在Ti基体表面先形成一层TiCx膜，再对渗C处理后的Ti基体进行MAO处 理。利用微弧氧化过程极快速的氧化过程将Ti氧化成TiO2 ，同时又最大限度地保留Ti-C结构，从而 制备出高含量、取代型的C掺杂TiO2 薄膜。相对于传统的热处理方法，此方法将C含量提高到 6.07 at.%。与未掺C的TiO 薄膜相比，掺C的TiO 薄膜的紫外-可见吸收光谱产生红移，其禁带宽度降低到 2 2 2.77 eV，同时光催化性能也得到显著提高。 关键词：微弧氧化；渗碳；C掺杂 TiO2；光催化薄膜 中图分类号：TQ032.4 文献标识码：A 文章编号： 基金项目：武汉大学大学生创新计划项目(No. S2011133) ，国家重大科学研究计划(973) (No. 2009CB939705) 。 *通讯作者：潘春旭，Tel:E-mail: cxpan@ 作者简介：荣永森，1991 年 10 月出生，男，武汉大学物理科学与技术学院材料物理系本科生，主 要从事TiO2 的光催化机理及性能研究，湖北省武汉大学物理科学与技术学院，430072 ，Tel: Email: rongyongsen@163.com. 王彦成，1992 年 07 月出生，男，武汉大学物理科学与技术学院材料物理系本科生，主要从事TiO2 的光催化机理及性能研究，湖北省武汉大学物理科学与技术学院，430072 ，Tel:，Email: black_cheng@. Micro-arc oxidation to fabricate carbon-doped TiO photocatalytic 2 film based on gas carburizing * Yongsen Rong Yancheng Wang Xudong Jiang Chunxu Pan School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, China Abstract: This article introduces a novel and effective process to fabricate a high concentration substitutional C-doped TiO photocatalytic film by micro-arc oxidation based on gas carburizing. Firstly 2 the TiCx film was synthesized on the surface of the titanium substrate by gas carburizing and the