陶瓷工艺学第五章技术方案.ppt

虽然Post-HIP工艺在经过了十几年的研究历程后已经取得了诸如以上突出的成绩，但是由于受其工艺自身的限制，在工业化过程的研究进程中进展很慢，如果想快速实现Post-HIP工艺制备陶瓷的工业化，必须注意以下事项： ① 由于HIP处理铸件坯体时一般不需要加包套，所以对于铸件表面的气孔等缺陷需进行封闭处理。 ②必须保持高压介质洁净，否则会污染制品。 ③选用的HIP工艺参数不合适会引起不良结果。 在微观力学方法中，粉末致密化行为的速率方程由诸如单个晶粒、颗粒及周围环境的蠕变、扩散等物理方面而决定。Hell等(1985)提出了致密化速率方程，画出了HIP机理图，通常称为HIP图。提出的方程在相对密度低于和高于0.9时是不同的，这个机理考虑了晶界扩散、晶格扩散、蠕变指数，后一种情况还考虑了晶界扩散。Li等(1987)研究了HIP期间形状的改变，在常温常压下HIP的致密化能够令人满意的模拟。 在宏观力学方法中，粉体被视为连续体。粉末致密化行为模拟的基本方程建立在对多孔材料塑性理论进行修改的基础上。孔隙率或相对密度通常作为内部变量。采用有限元热传导法来进行温度计算，其中将比热容及热传导率的变化看作是相对密度和温度的函数。 5.5.2.3 HIP机理模型 放电等离子体烧结工艺(SPS)，又被称为脉冲电流烧结。该技术的主要特点是利用体加热和表面活化，实现材料的超快速致密化烧结。可广泛用于磁性材料、梯度功能材料、纳米陶瓷、纤维增强陶瓷和金属间化合物等系列新型材料的烧结。 SPS技术的历史可追溯到20世纪30年代，当时“脉冲电流烧结技术”引入美国，后来日本研究了类似但更先进的技术——电火花烧结，并于20世纪60年代末获得专利，但没有得到广泛的应用，1988年，日本井上研究所研制出第一台SPS装置，具有5t的最大烧结压力，在材料研究领域获得应用。SPS技术于20世纪90年代发展成熟，最近推出的SPS装置为该技术的第三代产品，可产生10～l00t的最大烧结压力，可用于工业生产，能够实现快速、低温、高效烧结，已引起各国材料科学者与工程界的极大兴趣。 5.5.3 放电等离子体烧结 SPS主要是利用外加脉冲强电流形成的电场清洁粉末颗粒表面氧化物和吸附的气体，净化材料，活化粉末表面，提高粉末表面的扩散能力，再在较低机械压力下利用强电流短时加热粉体进行烧结致密。其消耗的电能仅为传统烧结工艺(无压烧结PLS、热压烧结HP、热等静压HIP)的1/5～1/3。 因此，SPS技术具有热压、热等静压技术无法比拟的优点： ① 烧结温度低(比HP和HIP低200～300℃)、烧结时间短(只需3～10min，而HP和HIP需要120～300min)、单件能耗低； ② 烧结机理特殊，赋予材料新的结构与性能； ③ 烧结体密度高，晶粒细小，是一种近净成形技术； ④ 操作简单，不需要十分熟练的操作人员和特别的模套技术。 5.5.3.1 SPS工艺的特点 SPS烧结系统大致由四个部分组成：真空烧结腔(图中6)，加压系统(图中3)，测温系统(图中7)和控制反馈系统。 5.5.3.2 SPS烧结装置 SPS烧结的基本结构类似于热压烧结。 导电与非导电粉料的SPS机制有很大的区别，有学者研究认为导电性粉体中存在焦耳热效应和脉冲放电效应，而非导电粉体的烧结主要源于模具的热传导。 具体就导电粉体的SPS定性分析为：由压头流出的直流脉冲电流分成几个流向，经过石墨模具的电流，产生大量热量；经过粉体的电流，诱发粉末颗粒间产生放电，激发等离子体，随着等离子体密度不断增大，高速反向运动的粒子流对颗粒表面产生较大冲击力，使其吸附的气体逸散或氧化膜破碎，从而使表面得到净化和活化，有利于烧结。同时放电也会瞬时产生高达几千度至几万度的局部高温，在晶粒表面引起蒸发和熔化，并在晶粒的接触点形成“烧结颈”。 5.5.3.3 SPS的烧结机理 微波烧结是利用微波具有的特殊波段与材料的基本细微结构耦合而产生热量，材料在电磁场中的介质损耗使材料整体加热至烧结温度而实现致密化的方法。 微波是一种高频电磁波，其频率范围为0.3～300GHz。但在微波烧结技术中使用的频率主要为915MHz和2.45GHz两种波段。微波烧结和常压烧结的根本区别在于，常压烧结是利用样品周围的发热体加热，而微波烧结则是样品自身吸收微波发热，根据微波烧结的基本理论，热能是由于物质内部的介质损耗而引起的，所以是一种体积加热效应，同常压烧结相比具有：烧结时间短、烧成温度低、降低固相反应活化能、提高烧结样品的力学性能、使其晶粒细化、结构均匀等特点，同时降低高温环境污染。 5.5.4 微波烧结 (1) 微波与材料直接耦合导致整体加热由于微波的体积加热，得以实现材料中大区域的零梯度均匀加热，使材料内部热应力减小，从而减小开裂和变形倾向。