半导体材料试卷A(光电09010902)(2011-12-05).doc

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2016-06-28 发布于重庆
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半导体材料试卷A(光电09010902)(2011-12-05)

A 卷江苏大学试题（2011 -2012 学年第学期）半导体材料开课学院材料科学与工程学院使用班级无机光电0901、0902 考试日期 2011年12月25日题号一二三四五六七八总分核查人签名得分阅卷教师一、题（）反外延接跃迁MOCVD 江苏大学试题第2页超晶格二、题（）直拉法单晶中纵向电阻率均匀性的控制方法在SOS技术中存在着外延层的生长和腐蚀的矛盾，如何解决？三、题（） ·cm（相应掺杂浓度为5.2×1015cm-3），则母合金浓度为？ 2、 3、欲把1100g高纯多晶硅拉制成ρ=20~50Ω·cm的N型单晶。试拉制杂质浓度为5×1013cm-3的P型单晶，责应掺入电阻率为8×10-3Ω·cm的P-Si合金多少？已知：坩埚直径为13cm，硅和母合金熔化到放肩约1h。由硅的ρ-N图查得掺磷母合金8×10-3Ω·cm，相应的杂质浓度为7×1018cm-3；。ρ=50Ω·cm的N型Si单晶所对应的杂质浓度为1×1014cm-3； E磷=10-4cm/s，K磷=0.35，K硼 =0.8，d硅=2.5g/cm3 命题教师：吴春霞共6 页第1 页学生所在学院材料科学与工程学院专业、班级学号姓名根据左图推算出当BPS公式中，和时对于k为0.1、0.5和10.0的杂质的平衡分凝系数的值。