CVD在无机合成与材料制备中.ppt

CVD在无机合成与材料制备中的应用与相关理论 一、化学气相沉积的简短历史回顾 二、化学气相沉淀的技术原理 三、化学气相沉淀的技术装置 一、化学气相沉积的简短历史回顾 1.CVD(Chemical Vapor Deposition)的 定义 化学气相沉积是利用气态或蒸气态的物质在气相或气固界面上反应生成固态沉积物的技术。 从气相中析出的固体的形态主要有下列几种： 在固体表面上生成薄膜、晶须和晶粒 在气体中生成粒子  2.历史的简短回顾 古人类取暖或烧烤时熏在岩洞壁或岩石上的黑色碳层→中国古代炼丹术中的“升炼”（最早的记载）→20世纪50年代现代CVD技术用于刀具涂层（碳化钨为基材经CVD制氧化铝、碳化钛、氮化钛） →20世纪60、70年代半导体和集成电路技术、超纯多晶硅。 →1990年以来我国在激活低压CVD金刚石生长热力学方面,根据非平衡热力学原理，开拓了非平衡定态相图及其计算的新领域，第一次真正从理论和实验对比上定量化地证实反自发方向的反应可以通过热力学反应耙合依靠另一个自发反应提供的能量控动来完成。 二、化学气相沉积的技术原理 CVD 是利用气态物质在固体表面进行化学反应,生成固态沉积物的工艺过程。它一般包括三个步骤(图1) : (1) 产生挥发性物质; (2) 将挥发性物质输运到沉积区; (3) 于基体上发生化学反应而生成固态产物。 二、化学气相沉积的技术原理 二、化学气相沉积的技术原理 二、化学气相沉积的技术原理 CVD技术是原料气或蒸气通过气相反应沉积出固态物质，因此CVD技术用于无机合成合材料有一下特点 1、沉积反应如在气固界面上发生则沉积物将按照原有基底（又称衬底）的形状包复一层薄膜。 实例：涂层刀具 2、采用CVD技术也可以得到单一的无机合成物质，并 用以作为原材料制备。 实例：气相分解硅多晶硅。 3、如果采用基底材料，在沉积物达到一定厚度以后又容易与基地分离，这样就可以得到各种特定形状的游离沉积物器具。 实例：碳化硅器皿和金刚石膜部件。 二、化学气相沉积的技术原理 4、在CVD技术中也可以沉积生成集体或细粉状物质。例如生成银朱或丹砂或者使沉积反应发生在气相中而不是在基底的表面上，这样得到的无机合成物质可以是很细的粉末，甚至是纳米尺度的微粒称为纳米超细粉末。这也是一项新兴的技术。 二、化学气相沉积的技术原理 CVD技术的热动力学原理 化学气相沉积的五个主要的机构 (a)反应物以扩散通过界面边界层；(b)反应物吸附在基片的表面；(c)化学沉积反应发生； (d) 部分生成物以扩散通过界面边界层；(e)生成物与反应物进入主气流里，并离开系统 1.输送现象 热能传递主要有热传导、对流、辐射三种方式 辐射传热基本概念 在入射的总辐射能量Q中，有QA的能量被吸收，QR的能量被反射，其余QD的能量穿透了物体。根据能量守恒定律，得 辐射体的分类 发射能力与斯蒂芬—波尔茨曼定律 影响辐射传热的因素： 温度 几何位置影响 物体表面的黑度 辐射表面间介质的影响 流体经固定表面时所形成的边界层δ及 δ与移动方向x之间的关系 CVD动力学 显示以TEOS为反应气体的CVDSiO2沉积的沉积速率与温度之间的关系曲线 CVD反应的进行，涉及到能量、动量、及质量的传递。反应气体是借着扩散过程，来通过主气流与基片之间的边界层，以便将反应气体传递到基片的表面。接着因能量传递而受热的基片，将提供反应气体足够的能量以进行化学反应，并生成固态的沉积物以及其他气态的副产物。前者便成为沉积薄膜的一部分；后者将同样利用扩散过程来通过边界层并进入主气流里。至于主气流的基片上方的分布，则主要是与气体的动量传递相关。 为了适应CVD技术的需要，通常对原料、产物及反应类型等也有一定的要求。 (1)反应原料是气态或易于挥发成蒸气的液态或固态物质。 (2)反应易于生成所需要的沉积物而其它副产物保留在气相排出或易于分离. (3)整个操作较易于控制。 用于化学气相沉积的反应类型大体如下所述: 2.1 简单热分解和热分解反应沉积 2.2 氧化还原反应沉积 2.3 其它合成反应沉积 2.4 化学输运反应沉积 2.5 等离子增强的反应沉积 2.6 其它能源增强的反应沉积 2.1 简单热分解和热分解反应沉积 通常IV B族ⅢB族和ⅡB族的一些低周期元素的氢化物如CH4、SiH4、GeH4、B2H6、PH3、AsH3等都是气态化合物，而且加热后易分解出相应的元素。因此很适合用于CVD技术中作为原料气。其中CH4，