第01章半导体中的电子状态--2015.09.07分析.ppt

第01章 半导体中的电子状态 4. Si1-xGex合金的能带 Vegard 定律 (0? x ?1) Si1-xGex 与 Si 的晶格失配为 第01章 半导体中的电子状态 Si1-xGex合金的能带特点 间接带隙 当 x ~0?1.0, 能带结构从 Si 的渐变到 Ge 的 x ? 0.85，能带结构与 Si 的类似 0.85 ? x ?1.00, 能带结构与 Ge 的类似 在 Si 中 X 点二度简并，而Si1-xGex在 X 点 简并消失 第01章 半导体中的电子状态 赝晶（共格）生长 用分子束外（MBE）延法，在Si上外延生 长Si1-xGex合金薄膜，当外延层厚度在适当的范 围时，晶格的失配可通过Si1-xGex合金层的应变 补偿或调节，则得到无界面失配的Si1-xGex合金 薄膜。 第01章 半导体中的电子状态 无应变的体Si1-xGex合金 的禁带宽度（4.2K） 第01章 半导体中的电子状态 应变Si1-xGex合金的禁带宽度 改变 Ge 组分 x 和应变的大小，则可调整 应变Si1-xGex合金的禁带宽度。 第01章 半导体中的电子状态 应变和无应变的Si1-xGex 的Eg与Ge 组分的关系 0 20 40 60 80 100 Ge 组分 x (%) 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0