第一章固体照明概述资料.ppt

LED 发光器件;参考书;第一章 固体照明概述 照明技术变迁、照明光学、LED基本原理及应用 第二章 LED的光取出原理及方法 LED的光取出原理及各种改进方法 第三、四、五章 红、绿、蓝、近紫外等高功率LED Seminar模式;;第六章 白光LED 基本考虑及各种制备方法 第七章 荧光粉、LED封装与散热;要求和考试;第一章 固体照明概述;;;传统白炽灯的光效极低;500K钨丝没有可见光。 1000K时才产生波长600nm以上的红光。;即使是可见光，人眼感觉的亮度差别也很大。;;;;30年代，荧光灯将电光源带入新天地;;高压放电灯光谱;LED:第四代照明技术;;LED的发展历史;LED的发展历史;;方大集团于2001年9月在国内第一个生产出GaN基LED外延片;;常用电光源发光效率对比;;;白光LED的价位目标 ;LED产业的“摩尔”定律;;世界上有关国家白炽灯的禁用时间表 ;;;;;;;LED晶片，在蓝宝石、SiC或硅衬底上外延生长。;典型的LED晶片示意图及物理参数;产品特性;通过封装将LED晶片制成各种芯片、光源。;各种LED灯具产品;中国LED市场应用需求预测(单位:亿个)资料来源:CCID(2010.06);第一章 固体照明概述;LED发光是半导体pn结的注入发光，而半导体发光的本质是电子与空穴的辐射复合。 (a)辐射复合 （b)非辐射复合;对于本征半导体，其发光特性取决于材料的能带类型及禁带宽度。;有杂质能级参与的辐射跃迁 ;通过在间接带隙半导体中引入某些杂质能级，形成发光中心，能有效提高其辐射效率。;;PN结正向偏压下，注入的载流子在结区复合发光。;LED的发光效率ηR ：光输出功率与光输入功率之比。Pout=Pin×ηR ηR=ηext×ηv 其中，外部量子效率ηext ，是输出光子数与电子空穴对的注入数之比， ηv为电压效率 。 ηext=ηint×Cex 内部量子效率ηint ，是产生光子数与电子空穴对的注入数之比。 Cex为光取出效率，是产生的光子输出到芯片外的效率。 故ηR= ηint×Cex ×ηv，即要提高LED的发光效率，得同时提高其内部量子效率、光取出效率和电压效率。;ηv=hf/qV 实际LED为提高电压效率需要重掺杂，以减少电阻、阈值电压和临界电流。 ηint取决于辐射复合与总复合的比率，重掺杂使发光中心浓度远大于无辐射复合中心浓度。;;;LED的I-V特性曲线可反映其阈值电压，临界电流，功率等参数，借助光学测试可反推出内量子效率。;同质pn结： 低注入效率导致低增益和大的临界电流。 高再吸收导致低光取出效率和低外部量子效率。 宽活性层导致宽发射光谱分布。 对GaAs，un/up高达20左右，因此发光主要集中在p区。;异质结能带结构。;异质结注入：大注入比，窄带发光，宽带窗口。;单异质结 AlGaAs层的作用：阻止注入电子的继续深入，提高增益；减少对光的吸收。;双异质结： 高注入效率 低再吸收 窄而强的光谱 完全取代同质结构;单量子阱：活性层厚度小到与电子波长可比拟，能带转化为分立能级。 更低阈值电流；更高效率；极窄线宽；极好温度稳定性。;由于能量跃迁主要发生在E1c与E1v两分立能级间，因此发光谱线明显变窄。 E1c与E1v间能级差大于禁带宽度，因此发射波长小于材料本征跃迁特征波长，发生蓝移。 电子和空穴受能量势阱的限制，局域在活性层，在相同注入电流密度下，非平衡载流子浓度大出许多，因此具有很高的注入效率和增益。 ;;;电子阻挡层及多量子阱结构:进一步提高辐射复合效率。 ;; ;多量子阱白光LED 利用多量子阱（MQW）可实现准连续光和白光输出;多量子阱白光LED;半导体激光器（LD??;受激辐射的前提：分布反转 对于半导体，必须使电子和空穴的准费米能级之差大于入射光子能量hv。;在p区和n区均重掺杂，且大注入的情况下，在结面附近可形成一很薄的分布反转区，称为“激活区”。;其他条件： 光学共振腔，使某一波长光子占压倒优势，输出单色相干光。 ;其他条件： 至少达到阈值电流密度，使增益大于损耗。 ;第一章 固体照明概述;;;;;;;;;;;;;;;;;光学参数;;;;;;;;; 700 K以上时，物体开始发射可见光，波长逐渐向短波方向移动，由暖光源变为冷光源。;;;;;;;;;;;;;;;