物理实验设计示123.doc

3 物理实验设计示例 测定半导体二极管2CP10的伏安特性 1 背景知识 1.1 电子器件的伏安特性 电子器件的伏安特性是指流过电子器件的电流随器件两端电压的变化特性,测定出电子器件的伏安特性，对其性能了解与其实际应用具有重要意义。在生产和科研中，可用晶体管特性图示仪自动测绘其曲线，在现代实验技术中，可用传感器及计算机进行测定给出测量结果。如果手头没有现成的自动测量仪器，提出应用电流表和电压表进行人工测量的方法，进行应急的测量是很有用的。 1.2 半导体二极管 半导体二极管是具有单向导电性的非线性电子元件，其电阻值与工作电流（或电压）有关。二极管的单向导电性就是PN结的单向导电性：PN结正向偏置时，结电阻很低，正向电流甚大（PN结处于导通状态）；PN结反向偏置时，结电阻很高，反向电流很小（PN结处于截止状态），这就是PN结的单向导电性。 （ 正向偏置）； （反向偏置）。 二极管的结构：半导体二极管是由一个PN结，加上接触电极、引线和管壳而构成。按内部结构的不同，半导体二极管有点接触和面接触型两类，通常由P区引出的电极称为阳极，N区引出的电极称为阴极。 二极管的伏安特性及主要参数：二极管具有单向导电性，可用其伏安特性来描述。所谓伏安特性，就是指加到二极管两端的电压与流过二极管的电流的关系曲线，如下图所示。这个特性曲线可分为正向特性和反向特性两个部分。 图1 二极管的伏安特性曲线 正向特性 当二极管加上正向电压时，便有正向电流通过。但是，当正向电压很低时，外电场还不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动所形成的阻力，故正向电流很小，二极管呈现很大的电阻。当正向电压超过一定数值（硅管约0.5V，锗管约0.2V）以后，内电场被大大削弱，二极管电阻变得很小，电流增长很快，这个电压往往称为阈电压UTH(又称死区电压：0-U0)。二极管正向导通时，硅管的压降一般为0.6-0.7V，锗管则为0.2-0.3V。 导通以后，在二极管中无论流过多大的电流（当然是允许范围之内的电流），在极管的两端将始终是一个基本不变的电压，我们把这个电压称为二极管的“正向导通压降”。 反向特性 二极管加上反向电压时，由于少数载流子的漂移运动，形成很小的反向电流。反向电流有两个特性：一是它随随温度的增加而增长得很快，这是由于少数载流子的数量随随温度增加而按指数规律迅速增长的缘故；二是在反向电压不超过某一范围时，反向电流不随反向电压改变而达到饱和，故这个电流IBO称为反向饱和电流。 当加二极管的反向电压过高时，反向电流突然急剧增大，二极管失去单向导电性，这种现象称为电击穿，这个电压URB称为反向击穿电压。发生击穿的原因是外加的强电场强制地把原子的外层价电子拉出来使载流子数目急剧上升。而处于强电场中的载流子又因获得很大的能量，而将其它价电子撞击出来，产生更多的载流子，如此连锁反应，使反向电流迅速增大，这种现象称为雪崩击穿。因此，当二极管的反向电压接近或超过击穿电压URB，又没有适当的限流措施时，将会因电流大，电压高而使管子造成永久性的损坏。 主要参数 最大整流电流IOM 最大整流电流是指二极管能够允许通过的最大正向平均电流值。当电流超过这个允许值时，二极管会因过热而烧坏，使用时务必注意。 反向击穿电压URB与最高反向工作电压URM URB是指二极管反向击穿时的电压值。击穿后，其反向电流剧增，二极管的单向导性被破坏，甚至管子因过热而烧坏。一般手册上给出的最高反向击穿电压URM约为反向击穿电压的一半或三分之二，经确保管子安全运行。 最大反向电流IRM 它是指在二极管上加最高反向工作电压时的反向电流值。IRM愈小，则管子的单向导电性能愈好。硅管的反向电流较小，常在1μА以下。锗管的反向电流较大，一般为硅管的几十倍到几百倍。 2 主要实验器材 直流稳压电源（0 ～30 V） 直流电压表 各种规格的直流电流表 变阻器 3 设计目的与要求 3．1设计目的 1、了解二极管的特性和参数； 2、了解二极管的安全使用方法； 3、学习利用伏安法测定二极管的特性及参数。 3．2设计要求 设计测量电路 分别设计出测定二极管正反向特性的测量电路。 选择实验仪器 包括确定电源电压的大小、电表量程、选择控制电路所用变阻器的规格等。 设计主要实验步骤 设计实验数据记录表格 进行特性测量，确定二极管特性并提交实验报告 测定半导体二极管伏安特性的实验方案 实验原理 电路连接方式 要同时测量流过二极管的电流I和其两端的电压U，电路有两种连线方式，即电流表的内接和外接： 当RX ?rA（电流表内阻）时，宜采用电流表内接如图2(b)； 当RX ?rV（电压表内阻）时，宜采用电流表外接如图2(a)； 当RX ?rA，RX