模电总复习(2015.6.8)通信工程专业解析.ppt

总复习 计算器每人一个 选择、填空、计算、判断、画波形 步骤：公式=代入数据=结果 第2章 基本运算电路 1、掌握理想运放处于深度 负反馈条件下两原则： 虚短: v- = v+ ，虚断: i- = i+ =0 。 2、掌握基本运算电路 （1）反相比例运算电路 （2）同相比例运算电路 （3）反相加法运算电路 减法运算电路 （叠加定理或虚短虚断法） （4） 积分电路 vi =Vi (常数)时， 注意：运算电路中， 若运放的| vo | |±Vos | (饱和电压）， 则 vo =±Vos (根据vo的正负取Vos正负） （5） 微分电路 3、会分析各级运放组成的是什么运算电路, 计算各级运放vo以及多级vo 。 如习题册P19—P24,书, 笔记 3章 1、杂质半导体 N型半导体 P型半导体 多子：空穴； 多子：自由电子 3.1 原则一：单向导电性 V阳V阴，D管正偏，导通 V阳 V阴，D管反偏，截止 原则二：优先导通原则 多二极管电路中，(V阳-V阴 ) 大的，优先导通 3.3 二极管D管（特点：单向导电性） D 习题册P1-5 书97页3.4.5 （书P86 3.4.12） 1. D管理想模型 D管正偏，导通 相当于短接线 D管反偏，截止； 相当于断路 2. D管恒压降模型 导通电压 VON Si：0.7V Ge：0.2V v VON , D管正偏 导通 v VON , D管反偏截止 3.4 2.5 稳压二极管 特点： DZ反偏工作，且工作在反向击穿状态。 符号 DZ + ? VZ — DZ管的稳定电压 放大区: 发射结正偏，集电结反偏。 截止区： 发射结正偏，集电结正偏 饱和区: 发射结反偏，集电结反偏。 1、 （1）三极管三种工作状态条件： 第4章 （2）会根据三极管各电极电位，判三极管工作状态 (放大、截止、饱和) ?看笔记例题 2、图解法 （1）直流负载线 VCE=VCC－ICRc， 两点式(VCC ，0) (0, VCC /Rb) 交流负载线 必过Q点 （2）分析电路参数对Q点影响 。 改变温度、VCC 、 Rb 、 Rc ， Q点如何变 （3）分析失真：饱和、截止 Q ↑ ，Q ? 。 如何消除失真（调 Rb ） 3、计算 基本 放大电路 固定偏置 分压式偏置 （有电压、电流放大， b入c出，vo与vi反相）； 共射放大电路 VB→IE →IC → IB→ VCE (1) 静态分析 画直流通路：电容C断开， 估算Q点（IB 、IC 、VCE ） 固定偏置共射： 分压式偏置共射： IB→IC →VCE （如书作业, 笔记）P190, 习题册P11,12 (2) 动态分析 会画交流H参数小信号等效电路（电容C短，VCC接地+T管的 H参数小信号模型） 会求 AV 、 AVS 、Ri 、 Ro * NPN、PNP交流小信号模型一样 短路，RL开路 共基放大电路 （e入c出，vo与vi同相 无电流放大、有电压放大）； 共集电极电路（射极输出器） （无电压放大、有电流放大 b入e出， vo与vi同相， Av≈1，vo ≈ vi ）； 共集、共基定性理解 第5章 场效应管 增强型 耗尽型 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 1、FET 会由管子的特性曲线判FET场效应管类型 N沟道 P沟道 如作业：书251页5.3.5,（P155 4.8.5） （1） vGS极性 单一极性 增强型MOSFET JFET （耗尽型） VT (开启电压) ： VP （夹断电压）： 可正可负 耗尽型MOSFET ? ? VP （2） 看VT 、VP VP 0, N沟道 0, P沟道 VT 0, P沟道 0, N沟道 ?方法： 正记忆 反记忆 第6章 差分放大电路 放大差模信号，抑制共模信号，抑制零点漂移 1、计算 （1）静态分析（估算法 估算Q点） （接共用Re ） 或 (接带内阻r0的 恒流源I0 ) （2）会画差模信号输入的交流小信号的等效电路 (方法： 直流电压源短路， 差模中共用Re 或 共用恒流源内阻r0短路） （3）会求差模电压放大倍数Avd