第二十二章 集成电路计算机辅助设e计简介.pptVIP

阱区电阻 图 N阱电阻俯视图 为了引出N阱电阻的两个电极，在N阱中进行N+扩散，该扩散区与有源层形成N型有源区，有源区再通过接触孔和金属连接形成欧姆接触，金属构成了电阻的两个电极。 该电阻的计算公式为：该电阻的计算公式为： N阱电阻的方块电阻值为1011欧姆，该电阻一般在几kΩ到几百kΩ。 电容(Capacitance) TSMC_0.35μm工艺制作的电容是一种结构简单的MIM电容，该电容由三层介质组成： 导电层作为下电极 绝缘层作为平板电容两电极间的介质 导电层作为上电极 电容计算公式： 其中，area是两导电层重叠区域的面积，Carea[fF/μm2]是单位有效面积的电容量, perimeter 是两导电层重叠区域的周长，Cfringe[fF/μm]是单位长度电容量。电容的可变参数为：两导电层重叠区域一边的长度(y[λ])、电容值(Ctotal[F])。 连接(Interconnect) 在TSMC_0.35μm的集成电路工艺流程中，不同导电层之间由绝缘介质隔离。导电层之间的相互连接需要通过打孔实现。