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機台名稱： 氧化矽乾式蝕刻機 機台編號： 制訂部門： 營運組 制訂日期： 2006/
文 件 制 修 訂 記 錄
NO 發行日期 修訂申請書編號 制修訂內容 修訂頁次 版本 01 2006/ 制定初版 01 02 96-DC10 １、文件名稱異動
２、內容異動 全部 1.2 03 04 05 06 07 08
核 准 審 查 制 訂 目的：
定義TEL oxide etcher氧化矽乾式蝕刻機生產操作規範，以確保TEL oxide etcher生產操作品質。
二、適用範圍：
適用於TEL oxide etcher氧化矽乾式蝕刻機。
三、權責：
組織權責：製程人員負責制定及修改規範。
設備負責人負責機台的異常處理，維持生產正常運轉。
執行人員資格：經過TEL oxide etcher氧化矽乾式蝕刻機操作評鑑合格之蝕刻部門人員。
四、相關文件：
TEL-5000 Operation manual。
五、機台部位基本簡介：
六、作業內容：
檢查機台狀況，確定機台目前使用情形(綠牌:使用中、紅牌:維修中、黃牌:測試中)，刷卡開機填寫機台使用記錄表使用機台必須為合格人員。
確定機台屬於狀態，檢查螢幕左上方無LOAD and PROCES，若有LOAD and PROCES檢查紀錄簿並查看製程腔體中是否有晶片傳輸，若確認沒有則結束之前操作製程。
試片水平放於入口端，並確認晶舟位置是否正確無誤。
接著再按F4(DIR)進入RECIPE畫面，標準製程參數如下。
Recipe:
recipe name Recipe Remark 03 200mT/800W/20 CHF3/20 CF4/400 ArThick oxide etching (contact hole) 5000A-10000A 13 200mT/500W/20 CHF3/20 CF4/400 Ar Thin oxide Etching (spacer) 0-5000A 34 800mT/250W/50 CF3/20 O2/1000 Ar/” Si,Si3N4
(Zero mask ,LOCOS) 標準製程為RECIPE03、13、34，按 F2鍵(LOAD)會顯示LOAD OK。
若要更改實驗參數，如時間、氣體種類、流量，將游標至可以任意更改的ecipe #50-59之ㄧ，F3鍵(SAVE)兩次。按 F1鍵(EXIT)進入recipe先對照recipe內步驟及參數是否有誤，之後即可更改蝕刻時間、氣體流量。
F4鍵(DIR)回到RECIPE畫面，F2鍵(SAVE)兩次，F4鍵(SEND)送Recipe至記憶體。
按 ，螢幕回到畫面。
將欲蝕刻晶片放入TEL5000專用晶舟 正確置於 LOAD INDEX按下RUN/STOP鍵(螢幕左上方顯示Load and process )蝕刻前需以控片做暖機動作。
作業過程中再按一次RUN/STOP則晶舟中尚未蝕刻之晶片不再送出。
在STATUS螢幕中按左鍵將游標移至P/C之END位置，則F2(ACTION)出現，按該鍵則該片晶片蝕刻製程終止，將游標移至P/C之NEXT位置按該鍵,則跳至recipe中之下一個步驟。
完成後再按一次RUN/STOP鍵結束製程。
遇到之處理方式，按鍵按 F1(BUZZER)將 buzzer 停止，觀察 alarm種類，此時可按F5(RETRY)排除ALARM，F4( RESET)則不能按。
不要隨便按PAUSE 鍵及 CONFIG鍵，免機台當機。
刷卡機填寫機台使用記錄表。
七、注意事項：
如遇異常狀況無法判定及處理時，請立即通知機台負責人。
使用機台時，必須參照機台標準作業程序與遵守機台相關規定。
八、應用表單及附件：
設備考核表S4-NL01A
設備點檢表S4-NL01B
設備使用記錄表S4-NL0異常處理單S4-NL02A
儀器設備管理卡S4-NL04B
National Nano Device Laboratories 文件編號
DOCUMENT NO. 總 頁 數
TOTAL PAGE 共 5 頁
TITLE 儀器設備作業標準(CF-E02氧化矽乾式蝕刻機)
TrueLight 文件名稱
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