SiC検出器-HEPTsukubaHomePage筑波大学素粒子.pptVIP

SiC半導体による放射線検出器の開発?研究 木下明将、栗田峰生、乘松健治、中野逸夫、田中礼三郎、 岩見基弘、大井暁彦*、大島武*、神谷富裕*、福島靖孝** (岡山大学、原研高崎*、KEK**) 半導体検出器 特徴 高分解能 １対の電子正孔を作るエネルギーが小さい 検出効率が高い 密度が大きい 時間分解能が良い キャリア移動度が大きい 高電界に耐えられる Si ▼放射線?高温?高電圧▼ SiC（v.s. Si） 禁制帯幅(bandgap)がSiの２～３倍 絶縁破壊電界が一桁大きい 飽和電子速度が２倍 熱伝導率３倍 動作温度の上限が500-600℃(Si:150℃くらい) 耐放射線性も高い 各種半導体の特徴 Polytype（結晶多系） 半導体検出器の種類 pn接合型 高耐圧品が作れる 一般的に検出器で使われる ショットキー接合型 順方向電圧降下が小さい 接合容量がないため逆回復時間が大変短い 試料（SiC検出器）　made in 原研 p(epi)/p+(substrate) CREE社より購入 6H-SiC イオン注入 Pイオン 1×1019(3.3×1018)[/cm3] メサ構造 電極 Al（オーミック接合） 試料写真　made in 原研 p(epi)/p+(substrate) CREE社より購入 6H-SiC イオン注入 Pイオン 1×1019(3.3×1018)[/cm3] メサ構造 電極 Al（オーミック接合） 評価試料 試料① ｐｎ接合型 試作 試料② 試作①の改良 漏洩電流小 試料③ 試料②の追試 試料④ 検出面の工夫 表面電極による吸収を小 測定（in 岡山大学） 静特性（半導体検出器＝ダイオード） I-V特性 整流性評価 C-V特性 空乏層評価 信号検出 α線 LED(UV:3.3eV) I-V測定 整流性の評価　→　ダイオード 試料：SiC①，②，③，④，浜松PIN-Si S1723, S3071 V:0～100 C-V測定 キャパシタンスの電圧依存 試料：SiC①，②，③，④，浜松PIN-Si S1723, S3071 V:0～100 (C∝1/V1/2) 測定方法（α線） α線源 Am241-α線 5.48 MeV 動作確認 セットアップ（α線） α線測定 プリアンプの出力信号 試料① 25℃ -40℃ Y:100mV X:25μs 測定方法（ＬＥＤ） 紫外線 ＬＥＤ 波長 375 nm エネルギー 3.31 eV 印加電圧 0 ~ 145　V 信号強度 セットアップ（紫外線：3.3eV） UV測定 シェイパーアンプ（上） プリアンプ（下） 試料② 室温 Y:100mV X:50μs バイアスとADC分布（試料②） 結果 静特性 　① 　② 　③ 　④ I-V（漏洩電流） 大 　 小 　 大 　 大 C-V（空乏層） 　 ▲ 　 ○ 　 ▲ 　 ▲ 信号検出 α線 　 ▲ 　 ○ 　 △ 　 － 紫外線 　 － 　 △ 　 △ 　 － 今年度のまとめ ダイオードとしての動作確認 ○整流性 ○可変容量 ×定量的 検出器としての能力 ○α線検出 ○紫外線検出 ×定量的 ×MIPは見れない 来年度の予定 国際学会発表 SiC Related Materials ICDS（International conference on defects in semiconductors） 材料国際会議 MRSのミーティング NSREC（Nuclear Space Radiation Effects Conference；IEEE) ??? 論文投稿 Nuclear Instruments and Methods Journal of Surface Science Journal of Crystal Growth Applied Physics Letter J. Applied Physics Applied Physics A Electron Devices（IEEE） ??? 今後 品質の向上 漏洩電流の減少 理想的なC-V特性 温度変化による安定動作 定量分析 α線検出による信号量 LED光検出による信号量 * * 2748 7.0 1296 9.72 3.2 2.7 4 800 2.3 3C-SiC 5.93 10.4c 10.03c 10.03c 12.91 11.9 比誘電率 1100 324 992 400 18.8 1.0 Johnson指数（高速?大電力） 37 1.05 6.4 5.0 0.52 1.0 Key指数（高速?高集積素子） 15379 279 3220 1298 6.7 1.0 熱伝導率×Johnson指数 20.9 1.3 4.9