嵌入式系统9(最小系统设计)解读.ppt

西安电子科技大学计算机学院 * 采用复位芯片 西安电子科技大学计算机学院 * 复位芯片的复位门槛的选择至关重要，一般应当选择微控制器的I/O口供电电压范围为标准。 如I/O口供电电压为3.0V~3.6V时，可选门槛电压为2.93V，即略低于I/O口供电电压。 6 存储系统设计 存储器类型 只读存储器（Read Only Memory） 随机存取存储器（Random Access Memory） 存储器形式 片内集成：由芯片生产商设计 片外扩展：用户设计 外部存储器 硬盘、光盘等 只针对特殊应用 西安电子科技大学计算机学院 * 西安电子科技大学计算机学院 * 常见的存储设备 RAM SRAM静态RAM（Static RAM） ASRAM（Asynchronous Static RAM）异步静态RAM DRAM动态RAM（Dynamic RAM ） SDRAM（Sychronous Dynamic RAM）同步动态RAM ROM 掩膜式ROM PROM可编程ROM（Programable ROM ） EPROM可擦除、可编程（Erasable PROM） EEPROM电可擦除可编程（Electrically Erasable PROM） Flash Memory（闪速存储器） 西安电子科技大学计算机学院 * SRAM 静态RAM（Static RAM） 数据存入静态RAM后，只要电源维持不变，其中存储的数据就能够一直维持不变 。 读写速度快 。 由触发器构成基本单元，接口简单。 存储单元结构复杂，集成度较低。 常常用作高速缓冲存储器。 处理器内部集成存储器多选择SRAM 西安电子科技大学计算机学院 * DRAM 动态RAM（Dynamic RAM ） 依靠电容存储信息，需要不断刷新 读写速度慢 集成度高，成本底 地址引脚少，地址总线采用多路技术，接口复杂。 多用于外部存储器扩展 西安电子科技大学计算机学院 * DRAM读取过程 1）通过地址总线将行地址传输到地址引脚 2）/RAS引脚被激活，这样行地址被传送到行地址门闩线路中 3）行地址解码器根据接收到的数据选择相应的行 4）/WE引脚被确定不被激活，所以DRAM知道它不会进行写入操作 西安电子科技大学计算机学院 * 西安电子科技大学计算机学院 * DRAM读取过程 5）列地址通过地址总线传输到地址引脚 6）/CAS引脚被激活，这样列地址被传送到行地址门闩线路中 7）/CAS引脚同样还具有/OE引脚的功能，所以这个时候Dout引脚知道需要向外输出数据 8） /RAS和/CAS都不被激活，进行下一个周期的数据操作了 西安电子科技大学计算机学院 * 西安电子科技大学计算机学院 * 完整的读时序 西安电子科技大学计算机学院 * 其实DRAM的写入的过程和读取过程是基本一样的 西安电子科技大学计算机学院 * SDRAM 同步动态RAM SDRAM因为要同CPU和芯片组共享时钟，所以芯片组可以主动的在每个时钟的上升沿发给引脚控制命令。 西安电子科技大学计算机学院 * SDRAM读时序 西安电子科技大学计算机学院 * Flash memory 工作原理 一般MOS管的栅极（gate）和通道的间隔为绝缘氧化层（gate oxide），而Flash Memory在控制栅（Control gate）和通道间却多了一层物质——浮栅（floating gate）。浮栅能存储电荷，从而具有记忆功能。通过控制浮栅，可以完成Flash单元的写入、擦除等操作。 Flash分类 Nor Flash Nand Flash 西安电子科技大学计算机学院 * Nor Flash 特点 芯片内执行 读速度快（比较Nand Flash） 写入与擦除速度很低 擦除按块进行，写入前必须先擦除 带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。 常用来存储代码 西安电子科技大学计算机学院 * Nand Flash 特点 NAND读和写操作按512字节的块进行。 写入与擦除速度比Nor Flash快。 擦除按块进行，写入前必须先擦除 NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。 NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据。 常用来存储数据。 西安电子科技大学计算机学院 * Nor Flash外部引脚示例 西安电子科技大学计算机学院 * Nand Flash外部引脚示例 西安电子科技大学计算机学院 * Nor Flash命令示例 西安电子科技大学计算机学院 * 写时序 西安电子科技大学计算机学院 * 擦除时序 SDRAM设计示例 西安电子科技大学计算机学院 * FLASH设计示例 西安电子科技大学计算机学院 * PXA270 General Memory Int