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§1.3 电光调制 2. 电光强度调制 1). 纵向电光调制(电场方向与通光方向一致) 由于电光效应引起的双折射,从晶体出射的两分量的相位差: 通过检偏器的输出光强: 当加在晶体上的电压V的改变使? 从0到?之间变化,则I从0~I0变化 (10) (16) §1.3 电光调制 由于:输出的光强和调制电压并不是线性关系→波形失真. 措施: (1)在调制晶体上额外附加Vλ/4电压→增加电路复杂性,工作点稳定性差; (2)光路中加入1/4波片,快慢轴分别平行于感应主轴x’和y’,使Ex’和Ey’间产生固定相位差。 评价:结构简单、工作稳定、不存在自然双折射;缺点:半波电压太高,功耗大! (16) §1.3 电光调制 2). 横向电光调制(电场方向与通光方向垂直) 外加电场沿z轴方向,Ex=Ey=0,Ez=E,晶体主轴x、y旋转45o至x’、y’。通光方向y’方向,偏振方向与z轴成45o。经过晶体后分解为沿x’和z方向振动的两个分量,其折射率分别为nx’和nz。从晶体出射的两分量间的相位差为: (17) §1.3 电光调制 相位差包括两部分: 1)晶体本身自然双折射引起的相位差,与外加电场无关; 2)外加电场作用产生的相位差,与晶体尺寸有关→可降低半波电压。 自然双折射→温度变化引起no、ne变化率不同,相位差漂移。 补偿措施: 散热、恒温,减小温漂; 组合调制器。 (17) §1.3 电光调制 线偏振光沿x’方向入射到第一块晶体时,电矢量分解为沿z轴方向的e1光和沿y’方向的o1光,经过第一块晶体后,两束光的相位差为: 经过1/2波片后,两束光的偏振方向各旋转90o;经过第二块晶体后,原来的e1光变成了o2光,o1光变成了e2光,则它们经过第二块晶体时,相位差为: 总相位差为: 可见,自然双折射得到补偿。合理选择晶体的纵横比,可降低半波电压。 评价:两块晶体结构复杂、尺寸加工要求高;降低半波电压。 (17) (18) (19) KDP横向运用时存在自然双折射,组合调制器可消除,但结构复杂,尺寸加工精度要求高:长度差0.1mm,温度变化1℃时,相位变化0.6℃→故一般不采用横向调制方式. 采用LiNbO3晶体的横向运用,既没有自然双折射的影响,又能降低半波电压,所以目前一般采用LN作横向运用晶体。 当LN晶体沿y(或x)方向加场时,相应的感应折射率为: §1.3 电光调制 y向加场,感应主轴不动,x向加场,感应主轴转动45o。 所以当沿y(或x)方向加场,z向通光时,进入晶体的光束 要分解为沿x,y{x’,y’}方向振动的两束光,两束光的相位 差为: 从上式可以看出: ① 只与加在晶体上的电压V和晶体的尺寸有关,可改变晶体的尺寸,降低半波电压。 ② 不存在自然双折射的影响,因此可以得到广泛的应用。 LN的最大缺点是光损伤功率密度低,不能用于大功率密度的激光器。 (20) (21) §1.3 电光调制 3. 电光相位调制 区别: 电光相位调制:起偏器的偏振轴平行于晶体的感应主轴x’或y’ 电光强度调制:起偏器的偏振轴平行于晶体的主轴x或y。 入射晶体的线偏振光不再分解成沿x’和y’两个分量,而是沿x’轴(或y’轴)一个方向偏振,故外加电场不改变出射光的偏振态,仅改变其相位。 §1.3 电光调制 相位变化为: 光波只沿x’方向偏振,则: 外加电场: 在晶体入射面z=0处的光场为: 则z=L处的光场为: (22) (23) (24) (25) (26) §1.3 电光调制 4. 电光波导调制 (1). 体调制器:前面讲的各种电光调制器,具有较大体积尺寸的分离器件。 特点:几乎整个晶体材料都受到外加电场的作用,加的电场强。 (2). 光波导调制器: 定义:把激光器、调制器、探测器等有源器件“集成”在同一衬底上,并通过波导、耦合器等无源元件连接起来,构成一个完整的微型光学系统. 分类: §1.3 电光调制 特点: 1)加电场区域很小,薄膜附近。薄膜厚度微米量级,因此驱动功率比体调制器小1-2个数量级。组成材料至少两种,其中一种应满足调制器的要求,且两种材料有确定的相对固定的折射率。 2)体调制器相同之处,也能产生折射率变化,使两传播模间有一相位差。不同之处,外场作用会导致波导中本征模(如TE模和TM模)传播特性变化以及两不同模式之间的耦合转换,所以光波导调制器的基本特性用介质光波导耦合理论来描述。 组成: 由夹在低折射率的衬底层和覆盖层之间的 高折射率的薄膜波导构成。 折射率nfns≥ne。波导层厚一般在微米 量级。光波在薄膜上、下两界面上发生全 发射,光被限制在横向尺寸为光波长量级的薄膜层内,呈锯齿形光路传播。从外界 输入信号对薄膜中传播的光
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