低噪声放大器题稿.ppt

目录 放大器基础理论 1 LNA设计 2 Checklist 3 基础知识 放大器理论基础 半导体材料 更好的光电性能 更好的功率特性 更高的结温 更高的击穿电压 GaN 第三代 硅和锗 第一代 材料成熟 制作工艺简单 成本低廉 GaAs、InP等 第二代 光电性能好 工作频率高 功率效率高 工作温度高 放大器理论基础 被束缚的电子要成为自由电子所需要的最小能量 Ge＜Si＜GaAs ＜InP ＜GaN 禁带宽度越大 工作温度上限越高 耐压越高 禁带宽度 电子在单位电场下的平均漂移速度 电子迁移率越高，极限频率越高 电子迁移率越高 噪声越小 Si ＜GaN ＜ InP ＜ GaAs 电子迁移率 影响要素 半导体材料 放大器理论基础 晶体管技术 BJT HBT FET HEMT、pHEMT 体积更小、更易于集成 更高的电子迁移率 更优的噪声性能 更高的电子迁移率 更优的噪声性能 HBT：异质结双极晶体管（Heterojunction Bipolar Transistor） HEMT：高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor） 放大器理论基础 如果集电结使用Si 为单异质结晶体管 如果集电结使用SiGe 为双异质结晶体管 图1、HBT结构示意图 图2、HEMT 结构示意图 晶体管技术 HBT 异质结双极性晶体管 基本原理： 发射区和基区采用不同的半导体材料，且发射区为宽能隙材料 发射区注入基区的载流子效率提高 特点： 放大倍数由发射区和基区材料的禁带宽度之差决定 发射区和基区参杂浓度设计更灵活 基区电阻小，噪声性能比普通BJT好 载流子速度更高，fT 频率比普通BJT高 应用 SiGe HBT 主要应用于射频前端LNA、小功率放大、振荡器等 HBT 放大器理论基础 晶体管技术 放大器理论基础 HEMT 高电子迁移率场效应管 基本原理： 同HBT一样，引入异质结。在控制区（gate）使用宽能隙材料且掺杂，沟道使用窄能隙本征半导体材料（不掺杂）。在异质结表面形成具有高电子迁移率的二维电子气，二维电子气提供导电通道 特点： 高的截止频率fT； 高的工作速度； 短沟道效应较小； 噪声性能好 应用 AlGaAs/GaAs 微波低噪声放大、高速数字集成电路 、功率放大、 微波震荡 HEMT 晶体管技术 放大器理论基础 pHEMT（赝高电子迁移率晶体管 ） pHEMT是HEMT的一种改进结构 普通HEMT存在一种所谓DX中心，阈值电压不稳定 非掺杂的InGaAs层 pHEMT优点： 工作频率更高 输出电阻高 跨导大 噪声更低 更高的功率转换效率 晶体管技术 图3、pHEMT结构示意图 放大器理论基础 噪声 噪声定义： 一切随机的、非期望的信号均可看作是噪声 噪声分类： 1、内部产生 2、外部产生 热噪声 基区体电阻产生； 散粒噪声 PN结电流的随机起伏 分配噪声 基区复合电流 闪烁噪声 载流子复合 BJT 沟道噪声 沟道电阻 感应栅级噪声 栅级电容耦合沟道噪声 闪烁噪声 晶格陷阱效应 FET 放大器理论基础 噪声 一般来说 FET的闪烁噪声比 BJT的闪烁噪声大 FET总的噪声 比BJT小 噪声影响因数 噪声与工艺 HBT噪声性能优于BJT HEMT噪声性能优于FET 器件直流工作点 双极型晶体管 静态电流越大，噪声性能越差 场效应管 电流越大，噪声性能越好 电子迁移率越高的材料，等效的热阻越小，噪声性能好 噪声与材料 放大器理论基础 噪声 放大器理论基础 噪声系数 定义： 输入信噪比和输出信噪比的比值 双极型晶体管： 场效应管 放大器理论基础 线性放大器 何为线性放大器？ 增益角度： 增益不随输入信号强度变化而变化； 频谱角度： 输入频谱成份和输出频谱成份一致 由于BJT输入输出成指数关系以及 FET输入输出成平方律关系 实际不存线性放大器，只存在满足工程要求的线性区和非线性区 放大器理论基础 放大器动态范围 输出回路直流电压方程： 放大器理论基础 如果静态工作点Q偏高产生饱和失真，如图6 如果静态工作电Q偏低产生截至失真，如图7 放大器动态范围 放大器理论基础 放大器非线性 谐波失真 在放大器进入非线性区后，其谐波产生的负面 影响不能再忽略尤其是在零中频系统中fc/2、fc/3 等均为接收机的杂散频率，经过LNA后其二次、 三次谐