1xPSTxPZT陶瓷的热释电性能研究.pdfVIP

2005年10月 四川大学学报(自然科学版) Oct．2005 Issue2 of Science Vd．42 Siehuan Edition) 第42卷增刊2 Journal University(Natural 文章编号：0490—6756(2005)z2—0401-04 江一杭，蓝德均，陈强，陈异，肖定全，朱建国+ (四川大学材料科学与工程学院，成都610064) 行了测试，发现随着PZT掺入量的增加PSTZT陶瓷的热释电系数逐渐降低采用两步法工 艺制备的P刚rZT陶瓷和在较高烧蛄温度下制备的P汀zT陶瓷的热释电系数较大 关键词：钽钪酸铅；弛豫铁电陶瓷；热释电系数 中图分类号：0484 文献标识码：A 1引言 20世纪60年代。激光和红外技术的发展，促进了热释电效应及其应用的研究，研制出了性能优良的 热释电探测器和热释电摄像管等器件．这类器件使用时不需要低温条件，频率特性好，能探测的红外波段 非常宽，在热探测领域中占有十分重要的地位，对国民经济和国防建设做出了很大的贡献¨，“。 钽钪酸铅Pb(Tao 5Sc0 料的居里点至室温以上．因此，如果PST在掺人PZT后仍具有较高的热释电系数，那么它所形成三元弛 豫铁电陶瓷(1一z)PST-xPZT(以下简称PSIzT)将具有极高的应用价值． 不同的制备条件和PZT掺杂量对PS∞Ⅱ陶瓷的性能的影响关系． 2实验 为避免高温下杂相的形成，人们常采用先驱体法(或简称两步法)¨1制备B位复合的PSI基钙钛矿型 驱体将增加PSTZT陶瓷合成工艺的复杂程度，且对于纯钙钛矿相陶瓷的合成来说最简单的s_r法已完全 可行．为了便于规模生产，我们采用了以ST为前驱体的两步法和电子陶瓷氧化物直接合成法(简称一步 法)两种方法来制备PSTZT陶瓷． (zr0 52Ti0．48)03补偿烧结过程中铅的挥发，再保温4h后随炉冷却 收稿日期：2005。09—20 基金项目：国家自然科学基金和教育部博士点基金(20020610014) 作者简介：江一杭(198z一)，四Ⅲ德阳人，磺士研究生，主要从事弛豫铁电陶瓷的研究 cn *通讯联系人．nie0400@scu．edu 四川大学学报(自然科学版) 第42卷 直径10mm厚约lmm的胚片其余同一步法．PSTZT陶瓷的详细制备工艺可以参见文[6]． 制备好的样品经表面平整打磨处理并清洗后。在小型离子溅射仪上溅射银电极．在低于居里点约20 --30V,温度下于硅油中以4--5 kV／mm进行30rain的极化．极化后样品老化一d后用计算机控制的热释 电系数测试系统(如图1所示)来测量热释电电流f，并计算热释电系数． 2 囤l热释电系数测试系统 (1计算机．2．RS232线缆，3 Keithley6517静电计，4样品，5．热电偶，6温挡仪 1 The of coefficient Fig measuringsystem pymelectrie 1 RS032 6517 computer．2cable，3keithleyelectrometer，4蛆n1日e，5 device