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2005年12月 第十三届全国电子束·离子束·光子束学术年会 湖南·长沙 25—33GHz单片低噪声放大器的研制 王民娟刘玉贵刘如青曾志王维军丁奎章 的噪声系数小于2．3dB，小信号增益大于15dB，增益平坦度小于±O．5dB，输入和输出驻波比分别小 于2，芯片尺寸为3．0x1．9x0．1mm3，微波性能与国外同类产品水平相当。 关键词：单片低噪声放大器，‘‘T”型栅，电子束 一、简介 随着技术的进步，电子装备向小型化、智能化发展，微波毫米波电路向单片集成化方向发展。 GaAs 积小、重量轻等特点，已经广泛用于先进的电子装备中，对于改善系统性能和扩展系统功能方面有着 巨大的潜力。而单片低噪声放大器(LNA)是这些系统关键标准元件之一。 二、器件设计与性能 噪声系数(Fn)给出微波晶体管放大器的噪声性能的量化表述，一个放大器的噪声系数表述为输 人端信噪比与输出端信噪比的比值，放大器的噪声系数可由公式(1)表述。 对于单片低噪声放大器，其噪声不仅与器件本身的最小噪声F：。有关，而且还与器件的噪声电阻 有关，小的噪声电阻Rn能减弱因信号源阻抗失配对放大器噪声所产生的不利影响，由于宽带放大器 的失配大，减小噪声电阻Rn尤为重要，因此设计用于宽带低噪声放大器的器件时，同时考虑l二。和 Rn。 Ft=艮。．+二坠一IYs—Ys。ptI： Re(Ys) F¨=10堍[1+2ⅡKfC。。 乎 、 Rn4RI一+(面Td丽’石1面 (3) 利影响，最有效的方法是用“T”形栅。栅偏源配置可以降低R8。提高材料的迁移率，适当提高载流子浓 度，可提高gm。为了节省电路的面积，器件采用梳状结构。源电极用空气桥跨接，为了减小寄生的栅源 电容Cgs．源跨接直接从栅条上跨越，而不从栅柄过渡区跨越。为降低噪声采用PHEMT材料，此器件 在26GHz时最大增益Gmax为10dB，$21为6 1．5dB，噪声电阻为14n。 —434一 2005年12月 第十三届全国电子束·离子束·光子束学术年会 湖南·长沙 三、电路设计与制作 1、单片低噪声放大器设计的主要目标是噪声系数和增益，由于最小噪声系数与最大功率增益不 能同时得到，需要将等噪声系数圆与等可用功率增益圆画在同一Smith圆图中，选定适当的反射系数 兼顾噪声和增益。一般，器件的最佳噪声信号源阻抗与最大增益匹配阻抗相差较多，致使设计电路时 and Heston【1123首次证明源串联反 顾此失彼。解决此矛盾的方法除采用平衡电路外，1985年Lehmann 馈用于单片低噪声放大器的设计也可达到目的。根据不定型S矩阵的概念，可将晶体管按G、s、D 写出如下矩阵： S S 龉 S S (4) 昭 一’窖 S S i；]= 电 ％轧 甜 图1源极外接阻抗Zs的晶体管 若源极外接阻抗为互(见图1)，参考阻抗为z0，则其反射系数r-为： rs2ia。,…@一～zZ。,+-zZ=_o。等舯一则牛吼。姒以上矩阵 Sgsag+sp，》}+sgdad ‰s，。 一l| S,sag+S鹞r,b。+S5dad sds dd a8 廿sdg乏Sgg乏Sgs8S搬r,bS I L Sdgag+sds印I+Sddad 舭，=志砘+南轧 将卺代人以上第一矩阵和第二矩阵即得以上二端口网络的S参量方程：