AlxGa1xNGaN量子阱沟道电子面密度模型.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 俞智刚胡辉勇张鹤鸣戴显英 (西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安 710071) 摘要：本文在考虑了Al，Ga，一，N／GaN异质结压电和自发极化效应的基础上，通过求解泊松 方程，建立了A1；Ga。一xN／GaN量子阱沟道中电子面密度和阈值电压模型。应用MATLAB软件 对该模型进行了数值分析，结果表明极化效应对电子面密度和器件阈值电压影响较大。本 文还讨论了器件中Al组分和势垒层厚度静态时对量子阱电子面密度的影响，以及它们对 器件阈值电压V，的影响，并对其进行了模拟。 关键词：极化效应电子面密度量子阱 1．引言 A1，Ga。一xN宽禁带半导体具有3．4至6．2eV范围内可调的直接带隙，使得它非常适合于 制作可见光范围内的短波段到紫外波段的光电器件；同时，与GaAs相比，GaN具有电子峰 值速率和饱和速率大，热稳定性高等优点。尤其是Al，Ga，一xN／GaN异质结构界面处巨大的导 带不连续性以及A1，Ga。一,N／GaN异质结构体系非常强的极化效应提供一个很深的量子阱和 是发展高温、高频、大功率电子器件和高电子迁移率场效应器件(HEMT)的理想结构材料。 正因为如此，Al，Ga。一。N／GaN异质结构中二维电子气性质和Al；Ga，一xN／GaNHEMT器件已成为 当前研究的热点。 2．二维电子气面密度模型 图1为典型的Al，Ga。一，N／GaN量子阱器件结 metal Si02 构示意图。二维电子气沟道在本征A1GaN和GaN AlGaN n+dopedlayer 异质结界面处GaN一侧。GaN层上面的本征层是 为了减少掺杂层电离杂质对沟道中载流子的散 A1GaN1 undoped ayer 射，以提高沟道中的载流子迁移率。势阱中电 场表示如下： GaN1 undopedayer —dEch—(X)：一旦Ⅳ(扪 (1) 锨 ￡G蝌 substrate 式中，如(x)为沟道中电场强度，￡G州为GaN sapphire 层介电常数N(x)是二维电子气密度由于GaN 是本征层，本底掺杂浓度可以忽略。在势阱中 图1A1。GahN／GaN量子阱器件剖面结构 对(1)式积分，利用边界条件 (x=o)(2) 示意图 Ech(戈)=日 ．-457．． 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 (3) 得到E6aN置=qns (3)式中，E为异质结界面处势阱一 侧的电场强度，z。为静态平衡时沟道 中二维电子气面密。