BaSnO3陶瓷结构及电性能的研究.pdf

2005年10月 四川大学学报(自然科学版) Oct2005 Science V01．42Issue2 第42卷增刊2 ofSichuan Edition) Journal University(Natural 文章编号：0490—6756(2005)022—0193—04 BaSn03陶瓷结构及电性能的研究 王正宇，周方桥，陈志雄 (广州大学物理与电子工程学院，广州510405) 反应法，制备出了相对密度迭97％～99％，平均粒径约为8“m的BaSn03半导体陶瓷．采用 a巩和Mn(N03)2复合掺杂，可以使BaSh％陶瓷的电阻率显著增大，且晶界电阻远远大于晶粒 电ItJt；Mn(N03)2掺杂为lmol的BaSnOa陶瓷，电阻率迭3．3X1060cm，晶粒电阻率为4．30 cm，经电导激活能测试，估算出其晶界势垒约为0．5ev 关键词：BaSn03陶瓷；晶粒；晶界；电性能 中圈分类号：TN304 文献标识码：A 1引言 立方钙钛矿结构的BaSnOs作为一种介电材料已在热稳定型电容器方面获得应用uJ，近年来又被尝试 作为半导体湿敏和气敏传感材料[z-4】BaSh％陶瓷半导化容易，但其成瓷难。致密性差，难以获得致密而 BmSn％陶瓷含有较多气孔，晶粒和晶界结构也不理想，材料不具有良好的电学性能关于高致密BaSn03 陶瓷结构及电性能方面的相关报道，目前尚不多见． 复合掺杂可有效地增强半导瓷的晶界效应，且使材料呈现出明显的NTC特征． 2实验 磨、烘干、造粒，然后在420MPa压力下制成圆片状生坯；置生坯于半开口的坩埚内，在大气环境中1500℃ 下烧结2h，烧成后的圆片样品为+10．9rnmXI，lmm． x射线衍射仪和JSM， 样品的密度用Archimedes方法测定，物相和显微结构分析分别用D／max-3A 6330F场发射扫描电镜；用于电测试验的样品，其两个平面稍经研磨后涂覆上In．Ga合金作测试电极；利 收稿日期：2005—08，21 研究方向为电子元器件与材料。E-mail：z硒iaoshou(勇163．(X?IIt 194 四川大学学报(自然科学版) 第42卷 用HP4140皮安计测试材料的电阻率与LV特性；用HP4192A阻抗分析仪测试样品的复阻抗谱 3结果和讨论 3．1 B-aSn03陶瓷结构和形貌的分析 图1是实验制备的BaSn03陶瓷XRD图谱．各角度对应的衍射峰清晰尖锐，其间未见有明显的其它物 相的杂峰出现，整条衍射谱线的各种数据符合立方钙钛矿结构BaSn03晶相，实验制备的陶瓷具有较高纯 度的BaSn03主晶相． 图1 mnSnCh陶瓷的XRD图谱 图2 mSnOa陶瓷的SEM图 diffraction SEM Fig．1X-ray mSaOa。目删。 F碴．2 njcmgraph。f＆o凹拍 SEM照片由图可以看出，陶瓷的晶粒生长发育情况完好，晶界清晰，结构致密，未见有明显的气孔；晶粒 尺寸在4～10#m之间，平均粒径约为8p．m． 3．2 Na2C03与Mn(N03)2复合掺杂对电性能的影响 晶粒电阻变化不大，而晶界电阻却明显增大，有限的掺杂可以使晶粒电阻保持在0．511左右，而晶界电阻 在陶瓷的烧结过程中，受主杂质离子偏析子晶界处．处在n型半导化晶粒边界的这些受主杂质离子， 在室温下处于激发态，形成负的界面电荷，导致晶界势垒——sshord【y势垒的产生．晶界势垒是导致半导 界势垒． 质和氧空位在室温下处于电离状态。使导带中存在一定量的载流子．而另一方面，由于晶界势垒的存在，使 得晶界处予高电阻态，如1．0toolNM掺杂样品的晶界电阻可比晶